Si基光电子集成器件研究进展

Si 基光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 Si 基光电子集成器件。本文综述近几年来 Si 基光电子集成器件的发展以及一些最新的研究进展,并对器件研制、发光机理和应用前景等方面做了详细的叙述。

面向21世纪的Si基光子学

Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科，旨在研究各类Si基低维材料的发光特性。各种Si基光子器件的设计与制作，并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年内，随着Si基纳米材料发光效率的提高，器件制备技术的进步和光电子集成工艺的成熟，Si基光子学的研究将出现重大突破性进展，并很有可能引发一场新的信息技术革命。本文着重介绍了用于Si基光电集成的光子学材料、器件与工艺在近3～5年内所取得的研究进展，并预测了它们的未来发展趋势。

Si基异质结构发光的研究现状

综述了Ｓｉ 基异质结构发光研究的现状。介绍了Ｓｉ 材料本身的本征发光、激子发光、杂质发光等特性，描述了掺Ｅｒ－ Ｓｉ 的发光、Ｓｉ 基量子结构（ 量子阱、量子点） 的光发射，重点研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ 异质结构的发光性质。同时还对多孔Ｓｉ 发光、Ｓｉ 基发光二极管（ＬＥＤ） 与Ｓｉ 双极晶体管（ＢＪＴ） 集成、Ｓｉ 基上垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ） 与微透镜的混合集成作了简要的介绍。