TiN/Ti/SiO_2/Si基板的分电极酸性化学镀铜

讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜。Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距0.5mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045mol/L。最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率。

MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜

采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。

抛光工艺对硅基Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜性能的影响

研究了不同的抛光方法(机械抛光、化学腐蚀及化学机械抛光)对硅基板上沉积的Pb1-xGexTe薄膜性能的影响.研究表明,经化学机械抛光(SiO2胶体或Cr+)的硅基板上所沉积的Pb1-xGexTe薄膜具有致密的结构及平直的界面,其沉积速率也比在化学腐蚀抛光表面的沉积速率大7%或18%(分别对应<111>和<100>晶向);薄膜具有明显高于化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率,且折射率随温度的降低而增加,而低温下折射率随波长的增加而增加;化学腐蚀抛光基板沉积薄膜的折射率的增加量明显大于化学机械抛光基板沉积薄膜的增加量;薄膜层经机械抛光后,其膜层结构、组分及其深度分布均未改变,但透射率增加,消光系数有所改善,折射率有所降低.

集成化是无源元件发展的必然趋势

分立无源元件集成化是未来发展的必然趋势。本文论述了无源元件集成化的途径和方法,介绍了无源元件集成化开发现状,指出了今后的发展趋势。

水热辅助聚合物前驱体法制备铌酸钾钠薄膜

以自制氢氧化铌、化学试剂碳酸钾、碳酸钠为原料,柠檬酸(CA)为螯合剂,乙二醇(EG)为酯化剂,采用水热辅助聚合物前驱体法在SiO2/Si基板上制备了铌酸钾钠(KNN)薄膜。研究了CA和EG用量对溶胶性能的影响,衬底和退火温度对薄膜的影响。结果表明,当n(CA):n(金属离子)=3:1,n(CA):n(EG)=1:2时,可获得稳定性好的溶胶。以水热处理过的Si片为基板得到的薄膜结晶性和致密性都有了很大的改善;随着退火温度的升高,薄膜的结晶性越来越好,所得薄膜粒径均匀,无裂纹,有定向生长的趋势。