Si基AAO模板法制备尖晶石型ZnAl_2O_4纳米结构

以Si基AAO为模板,以Zn和C粉作蒸发源,通过化学气相沉积法,在不同的温度下反应得到了不同的ZnAl2O4纳米结构。对样品的形貌和成分结构进行了分析。扫描电镜结果显示,在800℃获得的ZnAl2O4样品表面仍保留着AAO模板的孔洞结构。而XRD结果表明,在700,800,900℃下获得的样品都出现了ZnAl2 O4衍射峰,说明ZnAl2 O4已经成功制备。结合SEM图和XRD图可以看出,800℃是制备尖晶石型光催化ZnAl2O4纳米结构的最合适温度。

氧化时间和温度对Si基AAO模板制备的影响

采用一次阳极氧化法,通过电解P型<100>晶向Si衬底上的高纯Al膜,在40V下,0.3M草酸中制备了Si基anodic aluminum oxide(AAO)模板。在Si基Al氧化过程中,通过电流密度随时间实时变化曲线的分析,研究了Si基AAO的生长机理。实验发现,电解液温度对Si基AAO制备的影响很大,在30℃下的氧化速度是在10℃下的5倍多。