Si基HgCdTe芯片钝化前表面清洗优化

Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要。传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点。文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物寻找新的试剂,改善人工擦拭的清洗方式,制定了新的表面清洗工艺,并对传统清洗方式和优化后的清洗方式进行对比。实验证明,新的清洗方式不仅减少了芯片表面损伤,而且提高了工作效率和工艺的可重复性。

Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究

通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平.

Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征

报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展。基于现有Si基中波、短波HgCdTe材料工艺基础,开发获得了Si基中短波双色HgCdTe材料的生长工艺。使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料生长工艺。获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料。