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高比表面积多孔Si层柱蒙脱土材料的合成和表征 被引量:1
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作者 许鸿雁 鲍晓军 +1 位作者 王廷海 王永刚 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期250-253,共4页
Using natural Na montmorillonite as the host clay, porous silica-pillared montmorillonites (Si-PILC) were prepared by the template synthesis method. Furthermore, the texture and structure of such composite materials w... Using natural Na montmorillonite as the host clay, porous silica-pillared montmorillonites (Si-PILC) were prepared by the template synthesis method. Furthermore, the texture and structure of such composite materials were investigated by using modern several physicochemical techniques such as powder X-ray Diffraction (XRD), X-ray Fluorescence (XRF), Fourier Transformation Infra-red Spectra (FT-IR), and N2 adsorption/desorption measurements. The results reveal that tetrathylorthosilicate (TEOS) agent has been successfully intercalated into the montmorillonite and the characteristic d001 spacing of Si-PILC increases from 1.28nm to 3.15nm. The resultant products with large gallery height possess BJH pore volume as large as 0.30cm^3/g, remarkably high BET specific surface area of over 592.0m^2/g, pore size distribution in the mesopore region 3.3nm^4.3nm after thermal treatment at 800℃. 展开更多
关键词 蒙脱土 X射线衍射 si层柱蒙脱土
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CeO_2对渗Si层组织和高温氧化性能的影响
2
作者 王红星 柳秉毅 +1 位作者 杨少锋 张炎 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期3184-3188,共5页
采用浆料包渗法,以SiO2粉为渗Si源,纯Al粉为还原剂,NH4Cl作为活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为粘结剂,在Cu表面预先镀Ni,随后表面浆料包渗Si制备渗层。研究CeO2氧化物对渗Si层组织和氧化性能影响。结果表明:渗剂中添加CeO2氧... 采用浆料包渗法,以SiO2粉为渗Si源,纯Al粉为还原剂,NH4Cl作为活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为粘结剂,在Cu表面预先镀Ni,随后表面浆料包渗Si制备渗层。研究CeO2氧化物对渗Si层组织和氧化性能影响。结果表明:渗剂中添加CeO2氧化物后,渗层组织由以Ni31Si12+Ni2Si金属间化合物为主转变为以Ni2Si为主与NiSi混合的金属间化合物;渗Si层氧化增质由纯铜的1/4降低到纯铜的1/14,氧化产物为SiO2、Al2O3和少量的NiO,氧化层较致密而且颗粒细小,没有明显的裂纹和空洞出现,改善了抗高温氧化性能。 展开更多
关键词 CEO2 si层 氧化性能 Ni-si金属间化合物
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料浆包渗温度对渗Si层组织结构和性能的影响 被引量:2
3
作者 王红星 杨少锋 +1 位作者 柳秉毅 张炎 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期69-73,共5页
纯铜表面预镀Ni,随后采用料浆包渗法,以SiO2粉为Si源,纯Al粉为还原剂,NaF和NH4Cl作为复合活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为黏结剂,在Cu表面预先镀Ni层随后料浆包渗制备渗层。研究了包渗温度对渗Si层组织和力学性能的影响。结... 纯铜表面预镀Ni,随后采用料浆包渗法,以SiO2粉为Si源,纯Al粉为还原剂,NaF和NH4Cl作为复合活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为黏结剂,在Cu表面预先镀Ni层随后料浆包渗制备渗层。研究了包渗温度对渗Si层组织和力学性能的影响。结果表明:随包渗温度的增加,渗层组织出现以下转变:Ni31Si12→Ni31Si12+Ni2Si→Ni31Si12+Ni2Si+NiAl,包渗过程由渗Si为主转变为Si-Al为主;渗层硬度降低;摩擦因数由750℃时的0.17增加到950℃时的0.33。 展开更多
关键词 si Ni-si金属间化合物 摩擦因数
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Al含量对Cu基Ni镀层表面渗Si层组织和力学性能的影响 被引量:4
4
作者 王红星 李迎光 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期52-57,共6页
采用料浆包渗法,以SiO2粉为Si源,纯Al粉为还原剂,NaF和NH4Cl作为复合活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为黏结剂,在Cu表面预先镀Ni层随后900℃,12h表面渗Si,制备渗Ni-Si层。研究了Al粉含量对渗Si层组织和力学性能的影响。结果表... 采用料浆包渗法,以SiO2粉为Si源,纯Al粉为还原剂,NaF和NH4Cl作为复合活化剂,Al2O3为惰性添加剂,蛋白质(鸡蛋清)为黏结剂,在Cu表面预先镀Ni层随后900℃,12h表面渗Si,制备渗Ni-Si层。研究了Al粉含量对渗Si层组织和力学性能的影响。结果表明:随铝粉含量的增加,渗层组织出现以下转变:Ni3Si+Ni31Si12→Ni31Si12+Ni2Si→Ni3Si+NiAl,包渗过程由渗硅为主转变为渗铝为主;渗层硬度增加;摩擦系数由铝粉含量为10%(质量分数,下同)时的0.37降低到45%时的0.18,分别为纯铜的1/2,1/5。 展开更多
关键词 Cu基体 Ni镀 si Ni—si金属间化合物 摩擦系数
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石墨模具耐高温抗氧化涂层制备工艺研究
5
作者 朱治坤 石红利 +1 位作者 仇天原 陈静 《新乡学院学报》 2024年第3期62-66,共5页
针对生产过程中石墨模具在高温时易氧化的问题,开展石墨模具耐高温抗氧化涂层的研究,以提高石墨模具的使用性能。采用等离子喷涂技术在石墨基体上制备Si层,利用金相显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜表征界面显微结构,并利用拉伸试... 针对生产过程中石墨模具在高温时易氧化的问题,开展石墨模具耐高温抗氧化涂层的研究,以提高石墨模具的使用性能。采用等离子喷涂技术在石墨基体上制备Si层,利用金相显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜表征界面显微结构,并利用拉伸试验机测试界面结合力,研究涂层厚度、后处理加热温度和保温时间对Si层的影响。实验结果表明:当涂层厚度为0.03 mm时,经1380℃保温6 h后,能够形成均匀连续的过渡层,涂层有较好的结合强度和力学性能,且可以保护基体长达16 h不被严重氧化。 展开更多
关键词 石墨模具 等离子喷涂 si层 高温抗氧化性
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基于高频率公转速度变化策略的极紫外多层膜均匀性研究
6
作者 徐国华 韩伟明 +1 位作者 王佳兴 宋晓伟 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2024年第3期1-9,共9页
应用自研高真空磁控溅射镀膜系统,在高反射率和高均匀性极紫外Mo/Si多层膜方面开展实验研究。采用高速匀速自转和调节公转转速相结合的行星运行式镀膜方法,在高频率公转速度变化策略下,实现了多层膜周期厚度的较高均匀性。实验结果表明... 应用自研高真空磁控溅射镀膜系统,在高反射率和高均匀性极紫外Mo/Si多层膜方面开展实验研究。采用高速匀速自转和调节公转转速相结合的行星运行式镀膜方法,在高频率公转速度变化策略下,实现了多层膜周期厚度的较高均匀性。实验结果表明,通过公转速度高频变化,连续调整基底掠过靶材表面的速度,提高了多层膜周期厚度的均匀性,在150 mm直径范围内,曲面基底上6.92 nm周期厚度的Mo/Si多层膜周期厚度的相对偏差优于±0.3%。同步辐射测试结果表明,在入射角5°时,Mo/Si多层膜在中心波长13.5 nm处反射率达62.2%。 展开更多
关键词 磁控溅射 MO/si 极紫外 膜厚均匀性 制备技术
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多孔Si层柱蒙脱土的水热稳定性及酸性的研究
7
作者 许鸿雁 陈星彤 +1 位作者 王廷海 王永刚 《中国矿业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期897-902,共6页
以河南某地的钠基蒙脱土为原料,用模板剂前驱法合成了一类新型的多孔Si层柱蒙脱土材料(Si-MMT).通过粉末X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附分析、程序升温氨脱附(NH3-TPD)2、7Al和29Si的魔角旋转核磁共振(29Si MAS NMR和27Al MAS NMR)、吡啶... 以河南某地的钠基蒙脱土为原料,用模板剂前驱法合成了一类新型的多孔Si层柱蒙脱土材料(Si-MMT).通过粉末X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附分析、程序升温氨脱附(NH3-TPD)2、7Al和29Si的魔角旋转核磁共振(29Si MAS NMR和27Al MAS NMR)、吡啶吸附红外光谱法、水热老化法等测试手段,研究了材料水热稳定性和酸性.结果表明:Si-MMT的水热稳定性可维持在600℃,比表面积和比孔容分别为523 m2/g和0.29 cm3/g;与原土相比,Si-MMT层柱蒙脱土多孔材料的总酸量增加了将近1倍;合成材料同时存在B酸和L酸,L酸主要来源于层柱,B酸则主要来源于焙烧过程有机物分解释放质子和黏土中四面体存在Al的同晶取代Si. 展开更多
关键词 水热稳定性 si层柱蒙脱土 表面酸性
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Mo/Si软X射线多层膜的界面粗糙度研究 被引量:6
8
作者 秦俊岭 邵建达 +3 位作者 易葵 周洪军 霍同林 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期763-766,共4页
用磁控溅射法分别制备了以Mo膜层和Si膜层为顶层的Mo/Si多层膜系列,利用小角X射线衍射确定了各多层膜的周期厚度。以不同周期数的Mo/Si多层膜的新鲜表面近似等同于同一多层膜的内界面,通过原子力显微镜研究了多层膜界面粗糙度随膜层数... 用磁控溅射法分别制备了以Mo膜层和Si膜层为顶层的Mo/Si多层膜系列,利用小角X射线衍射确定了各多层膜的周期厚度。以不同周期数的Mo/Si多层膜的新鲜表面近似等同于同一多层膜的内界面,通过原子力显微镜研究了多层膜界面粗糙度随膜层数的变化规律。并在国家同步辐射实验室测量了各多层膜的软X射线反射率。研究表明:随着膜层数的增加,Mo膜层和Si膜层的界面粗糙度先减小后增加然后再减小,多层膜的峰值反射率先增加后减小。 展开更多
关键词 MO/si 软X射线 界面粗糙度 反射率
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磁控溅射制备横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜 被引量:7
9
作者 涂昱淳 宋竹青 +6 位作者 黄秋实 朱京涛 徐敬 王占山 李乙洲 刘佳琪 张力 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2419-2422,共4页
采用磁控溅射方法在Si基板上镀制了横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜。以X射线掠入射反射测量了横向梯度多层膜的膜系结构,在基板65mm长度范围内,多层膜周期从8.21nm线性减小到6.57nm,周期梯度为0.03nm/mm。国家同步辐射实验室反射率计的... 采用磁控溅射方法在Si基板上镀制了横向梯度分布的Mo/Si周期多层膜。以X射线掠入射反射测量了横向梯度多层膜的膜系结构,在基板65mm长度范围内,多层膜周期从8.21nm线性减小到6.57nm,周期梯度为0.03nm/mm。国家同步辐射实验室反射率计的反射率测试结果表明:该横向梯度分布周期多层膜上不同位置,能反射在13.3~15.9nm波段范围内不同波长的极紫外光,反射率为60%~65%。 展开更多
关键词 MO/si 磁控溅射 梯度多 反射率 同步辐射
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用不同的Mo靶溅射功率制备Mo/Si多层膜 被引量:10
10
作者 秦俊岭 邵建达 易葵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期67-70,共4页
用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜,用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时,Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现,随... 用磁控溅射法制备了周期厚度和周期数均相同的Mo/Si多层膜,用原子力显微镜和小角X射线衍射分别研究了Mo靶溅射功率不相同时,Mo/Si多层膜表面形貌和晶相的变化。随后在国家同步辐射实验室测量了Mo/Si多层膜的软X射线反射率。研究发现,随着Mo靶溅射功率的增大,Mo/Si多层膜的表面粗糙度增加,Mo的特征X射线衍射峰也增强,Mo/Si多层膜的软X射线峰值反射率先增大后减小。 展开更多
关键词 Mo靶 MO/si 溅射功率 软X射线 反射率
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13.9和19.6nm正入射Mo/Si多层膜反射镜的反射率测量 被引量:3
11
作者 李敏 董宁宁 +6 位作者 刘震 刘世界 李旭 范鲜红 王丽辉 马月英 陈波 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1666-1672,共7页
为了进一步研究13.9 nm类镍银和19.6 nm类氖锗X射线激光,制备了工作在上述两个波长的Mo/Si多层膜反射镜。设计了结构简单、操作方便的小型反射率计,将其安装在Mcpherson247单色仪出射狭缝附近,以铜靶激光等离子体辐射源为极紫外光源,组... 为了进一步研究13.9 nm类镍银和19.6 nm类氖锗X射线激光,制备了工作在上述两个波长的Mo/Si多层膜反射镜。设计了结构简单、操作方便的小型反射率计,将其安装在Mcpherson247单色仪出射狭缝附近,以铜靶激光等离子体辐射源为极紫外光源,组建了一套适合反射率测量的实验装置,利用此装置测量了实验室制备的多层膜反射镜的反射率。测量之前对单色仪进行了标定并对光源稳定性进行了测量,结果显示,波长准确度是0.08 nm,光源信号抖动范围<5%,光源稳定性好。反射率测量结果显示,实验室能够制备出中心波长分别是13.91和19.60 nm的Mo/Si多层膜反射镜,相应反射率分别为41.9%和22.6%,半宽度为0.56和1.70 nm。同时还用WYKO测量得到13.9和19.6 nmMo/Si多层膜的表面粗糙度分别为0.52和0.55 nm。 展开更多
关键词 Mo/si膜反射镜 反射率测量 表面粗糙度 极紫外光源 激光等离子体光源
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中心波长为13.9nm的正入射Mo/Si多层膜 被引量:2
12
作者 范鲜红 陈波 +1 位作者 尼启良 王晓光 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期405-408,共4页
用由铜靶激光等离子体光源等组成的反射率计对自行设计的周期厚度为7.14nm的120层Mo/Si多层膜进行极紫外(EUV)波段反射率测量。由于多层膜层数增加所引起的吸收、膜层界面之间的扩散以及镀膜过程中的膜厚控制误差或表面被氧化(污染)等原... 用由铜靶激光等离子体光源等组成的反射率计对自行设计的周期厚度为7.14nm的120层Mo/Si多层膜进行极紫外(EUV)波段反射率测量。由于多层膜层数增加所引起的吸收、膜层界面之间的扩散以及镀膜过程中的膜厚控制误差或表面被氧化(污染)等原因,正入射Mo/Si多层膜在13.9nm处的反射率低于理论计算值73.2%,最后用原子力显微镜(AFM)测量其表面粗糙度为σ=0.401nm。 展开更多
关键词 MO/si 反射率 极紫外波段
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Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究 被引量:2
13
作者 杨瑞东 陈寒娴 +4 位作者 邓荣斌 孔令德 陶东平 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期328-330,333,共4页
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较... 采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。 展开更多
关键词 Ge/si纳米多 纳米晶粒
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Nb/Nb_5Si_3微叠层复合材料制备与其组织结构 被引量:4
14
作者 黄光宏 申造宇 +2 位作者 牟仁德 何利民 常振东 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期47-53,共7页
采用大功率离子束辅助(IBAD)电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备Nb/Nb5Si3叠层状复合材料。利用X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对材料的组成相和微观结构进行分析,探讨EB-PVD制备工艺对微叠层材料的结构和形貌的影响。采用双靶材、蒸气垂... 采用大功率离子束辅助(IBAD)电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备Nb/Nb5Si3叠层状复合材料。利用X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对材料的组成相和微观结构进行分析,探讨EB-PVD制备工艺对微叠层材料的结构和形貌的影响。采用双靶材、蒸气垂直入射及高温高束流制备微叠层材料,并进行真空热处理以考察微叠层材料在1200℃下保温3h后的结构演变。实验结果表明:制备出Nb/Nb5Si3微叠层复合材料,由立方Nb和四方Nb5Si3混合相组成,具有明显的层状结构。真空热处理后,微叠层材料柱状晶结构向等轴晶转化。 展开更多
关键词 EB-PVD IBAD Nb/Nb5si3微叠 微观结构 热处理
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离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究 被引量:5
15
作者 邓书康 陈刚 +4 位作者 高立刚 陈亮 俞帆 刘焕林 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期288-291,共4页
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明... 采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征。结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6. 2nm时, Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用。 展开更多
关键词 si/Ge多 离子束溅射 拉曼光谱 制备方法 薄膜 结构分析
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离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究 被引量:5
16
作者 刘焕林 郝瑞亭 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期280-284,共5页
采用离子束溅射方法在S i衬底上制备S i/Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列S i/Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件... 采用离子束溅射方法在S i衬底上制备S i/Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列S i/Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的S i/Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。 展开更多
关键词 si/Ge多 离子束溅射 红外探测材料
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溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究 被引量:2
17
作者 陈寒娴 杨瑞东 +3 位作者 王茺 邓荣斌 孔令德 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期730-732,736,共4页
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征。结果表明,2.0~2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77~1.84eV之间... 采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征。结果表明,2.0~2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77~1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。 展开更多
关键词 si/Ge多 可见光致发光 离子束溅射
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离子束溅射Si/Ge多层膜的界面结构研究 被引量:1
18
作者 陈寒娴 杨瑞东 +3 位作者 邓荣斌 秦芳 王茺 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4075-4077,共3页
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现随着生长周期数的增加,层与层之间的互扩散效应逐渐减弱,界面结构逐渐清晰,生长周期为25的样品界... 采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现随着生长周期数的增加,层与层之间的互扩散效应逐渐减弱,界面结构逐渐清晰,生长周期为25的样品界面最平整。 展开更多
关键词 si/Ge多 界面结构 离子束溅射
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溅射气压对Si/Ge多层膜结构光学常数的影响 被引量:6
19
作者 张晋敏 郜小勇 +1 位作者 杨宇 陈良尧 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期77-79,共3页
采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5~ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,... 采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪 ,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数 ,测量能量范围为 1.5~ 4.5eV .分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响 .实验结果表明 ,在低能区域 ,随压强的增加 ,多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加 ,但在高能区域 ,溅射气压对光学常数的影响不再明显 .多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移 ;多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小 ,但其峰值随压强的增加而增加 . 展开更多
关键词 溅射气压 si/Ge多 结构 椭偏光谱 光学常数 磁控溅射 硅衬底 大规模集成电路
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用非晶钎料加铜层连接Si_3N_4的界面结构与强度 被引量:1
20
作者 邹家生 左淮文 许祥平 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期5-8,113,共4页
采用TiZrCuB非晶钎料和铜箔中间层连接Si3N4陶瓷,研究了钎料成分和铜箔厚度对接头界面结构和抗弯强度的影响.结果表明,采用Ti40Zr25CuB0.2非晶钎料和70!m铜箔中间层,在1 323 K×30 min和0.027 MPa压力下连接Si3N4陶瓷,其接头抗弯强... 采用TiZrCuB非晶钎料和铜箔中间层连接Si3N4陶瓷,研究了钎料成分和铜箔厚度对接头界面结构和抗弯强度的影响.结果表明,采用Ti40Zr25CuB0.2非晶钎料和70!m铜箔中间层,在1 323 K×30 min和0.027 MPa压力下连接Si3N4陶瓷,其接头抗弯强度最高为241 MPa;Si3N4陶瓷连接接头界面反应层为TiN,界面微观结构为Si3N4/TiN/Ti-Si+α-Cu+Ti-Zr+Cu-Zr;改变中间层厚度可以调整反应层的结构和厚度;随铜箔厚度增加,Ti-Si化合物层逐渐脱离TiN层被推向钎缝中心并细化呈颗粒状. 展开更多
关键词 非晶钎料 铜箔中间si3N4陶瓷 界面结构 抗弯强度
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