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Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究
1
作者
陈克城
詹自力
+2 位作者
陈翔宇
闫贺艳
陈志强
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2017年第4期56-59,70,共5页
研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应...
研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10^(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。
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关键词
电子技术
SNO2
热线型气体传感器
si掺杂量
湿度
H2
下载PDF
职称材料
题名
Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究
1
作者
陈克城
詹自力
陈翔宇
闫贺艳
陈志强
机构
郑州大学化工与能源学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2017年第4期56-59,70,共5页
基金
河南省产学研合作项目资助(No.162107000015)
河南省教育厅重点项目资助(No.14A530001)
文摘
研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10^(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。
关键词
电子技术
SNO2
热线型气体传感器
si掺杂量
湿度
H2
Keywords
electronic technigue
SnO2
hot-wire type gas sensor
si
doping content
humidity
H2
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究
陈克城
詹自力
陈翔宇
闫贺艳
陈志强
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2017
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职称材料
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