硅桥红外辐射单元温度的显微拉曼测定

本文采用显微拉曼光谱实验的方法对红外目标模拟器中的重掺杂Si电阻微桥单元进行了绝对温度的测量 ,并根据斯托克斯与反斯托克斯强度与温度关系以及Raman峰位移动与温度依赖关系两种方法确定温度 ,保证了所测温度的可靠性。针对Si桥建立相应的Raman模型 ,选择合适的物理参数 ,最终得到了反映Si桥工作特性的电流 -温度关系。此外 ,通过对Si桥的空间分辨的测量实验 ,得到了Si桥上的温度分布状况 ,对了解其电阻、热导及氧化等特性十分有用。所有结果表明该方法是器件优化的有效途径。

12月优化先锋

nVlDIA系列显卡，SiS矽统SiS961 962 963南桥芯片组，VIA威盛4-IN-1，ALi扬智芯片组Integrated DriVer综台驱动工具包，罗技全系列鼠标，Acer宏基310P、320P、610P、620P、620U、620PT扫描仪，优化程序——内存维护管理软件RegRun,优化程序——显卡工具PowerStrip。