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660-GHz频段波导型SIS混频器嵌入阻抗的特性研究(英文) 被引量:2
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作者 张文 单文磊 史生才 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期465-468,共4页
基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法 ,对一 6 6 0GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个 6 0 0 72 0GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究 .同时 ,还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移(包括水平偏移和垂直偏移 )... 基于三维电磁场仿真软件HFSS和类似于准光学天线的集总源法 ,对一 6 6 0GHz超导混频器的嵌入阻抗在整个 6 0 0 72 0GHz的工作频带范围内进行了详细的分析研究 .同时 ,还系统地分析计算了SIS结芯片的馈点偏移(包括水平偏移和垂直偏移 )及芯片厚度和背向短路器长度变化所产生的影响 .分析结果表明 ,该混频器的嵌入阻抗为 35Ω左右 ,而且在整个工作频带内变化缓慢 ,能够实现宽频带匹配 .SIS结芯片馈点的位置对嵌入阻抗没有太大的影响 ,但芯片厚度的影响非常明显 .这些结果对超导SIS混频器的研制有很好的指导意义 . 展开更多
关键词 660-GHz频段 波导siS混频器 特性研究 嵌入阻抗 亚毫米波 集总源 工作频带 研制
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Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围
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作者 王天甲 张瑞英 王杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期925-931,共7页
Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径。采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的双锥形耦合器结构进行了仿真... Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径。采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的双锥形耦合器结构进行了仿真,研究了实现高效耦合结构参数容差范围。结果表明,当Ⅲ-Ⅴ材料有源波导中缓冲层厚度为0.5~0.7μm,有源波导锥形区长度为400~800μm,锥形区尖部宽度为0.5~0.55μm,有源波导增益区宽度为2.9~3.1μm,无源波导锥形区的长度超过500μm,有源波导相对于Si波导的偏移量小于1μm时,Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的耦合效率均可达到90%以上。研究双锥形Ⅲ-Ⅴ/Si波导高效耦合参数的容差范围可为下一步制备出高效耦合的该类大尺寸混合集成器件提供参考。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ/si混合集成波导 耦合效率 双锥形耦合器 有限差分光束传播法(FD-BPM) 容差范围
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硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟 被引量:5
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作者 陈荔群 李成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1476-1479,共4页
SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸... SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸收区的长度不受SiGe临界厚度的限制,实现了量子效率和响应速度的优化.本文在数值模拟的基础上,对器件结构进行了优化设计,结果表明7·6μm长的波导探测器可以得到20%以上的量子效率. 展开更多
关键词 si/siGe波导共振增强型 探测器
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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析 被引量:2
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作者 安俊明 郜定山 +3 位作者 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期858-862,共5页
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这... 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG. 展开更多
关键词 siON薄膜 sisiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130
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利用光学天线阵列耦合光波进入硅波导
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作者 王越 杨凤英 陈跃刚 《贵州大学学报(自然科学版)》 2014年第3期17-20,共4页
在光学集成中,光信号从自由空间中耦合进入波导具有重要意义。利用光学天线将自由空间中的平面波耦合到波导的基模中。对称偶极子光学天线阵列有利于Si波导基模的激发,根据波导模场特性,设计偶极子对称天线实现耦合功能。为高效激发波... 在光学集成中,光信号从自由空间中耦合进入波导具有重要意义。利用光学天线将自由空间中的平面波耦合到波导的基模中。对称偶极子光学天线阵列有利于Si波导基模的激发,根据波导模场特性,设计偶极子对称天线实现耦合功能。为高效激发波导基模和提高耦合效率,利用时域有限差分(FDTD)方法分析Si波导的基模模场,对天线阵列结构进行优化,实现高效耦合。 展开更多
关键词 si波导 光学天线 表面等离子体 耦合效率
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Research and Design of Ge_(0.6)Si_(0.4)/Si Strained-layer Superlattice Planar Optical Waveguide 被引量:1
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作者 LIU Shu ping (Taiyuan Heavy Machinery Institute, Taiyuan 030024, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期19-21,共3页
Calculation shown that the refraction index of Ge_0.6Si_0.4/Sistrained-layer superlattice n≈3.64, when L_w=9 nm and L_b=24 nm. Analgorithm of numerical iteration for effective refraction index isemployed to obtain di... Calculation shown that the refraction index of Ge_0.6Si_0.4/Sistrained-layer superlattice n≈3.64, when L_w=9 nm and L_b=24 nm. Analgorithm of numerical iteration for effective refraction index isemployed to obtain different effective refraction indexes atdifferent thickness (L). As a result, the thickness ofGe_0.6Si_0.4/Si strained-layer superlattice optical waveguide, L≤363nm, can be determined, which is very important for designingwaveguide devices. An optical waveguide can be made into a nanometerdevice by using Ge_0.6 Si_0.4/Si strained-layer superlattice. 展开更多
关键词 Ge_0.6si_0.4/si SUPERLATTICE optical waveguide effective refractionindex
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Waveguide Simulation of a THz Si/SiGe Quantum Cascade Laser
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作者 陈锐 林桂江 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期893-897,共5页
The waveguide design is one of the most important parts in a terahertz quantum cascade laser(QCL). Si/SiGe QCL waveguides, based on the Drude model and finite-difference time-domain (FDTD) method, are designed by ... The waveguide design is one of the most important parts in a terahertz quantum cascade laser(QCL). Si/SiGe QCL waveguides, based on the Drude model and finite-difference time-domain (FDTD) method, are designed by the traditional refractive index waveguide structure, the single-sided metal structure, the double-metal clad structure, and a novel metal/metal silicide structure. The metal/metal silicide structure, showing high modal confinement,is convenient in process engineering and is expected to be a viable waveguide solution for Si/SiGe QCLs in the THz range. 展开更多
关键词 TERAHERTZ si/siGE quantum cascade laser WAVEGUIDE
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8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作 被引量:2
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作者 赵雷 安俊明 +3 位作者 张家顺 宋世娇 吴远大 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1589-1592,共4页
设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)... 设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3~1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。 展开更多
关键词 阵列波导光栅(AWG) si纳米线波导 电子束光刻(EBL) 感应耦合等离子(ICP)刻蚀
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阵列波导光栅解调系统光电集成中Si纳米线AWG的设计
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作者 白曜亭 李鸿强 +3 位作者 李恩邦 柳智慧 魏可嘉 董夏叶 《光学与光电技术》 2013年第2期28-32,共5页
设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光束传播法对所设计阵列波导光栅进行了模拟。结果表明,器件尺寸为200μm×219μm,远小于目前技术较成... 设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光束传播法对所设计阵列波导光栅进行了模拟。结果表明,器件尺寸为200μm×219μm,远小于目前技术较成熟的硅基SiO2的尺寸,光功率分布符合高斯分布,信道间隔为1.8nm,串扰小于-21dB。对小尺寸AWG的设计具有参考意义。 展开更多
关键词 光学器件 阵列波导光栅 si纳米线波导 光束传播法 光纤光栅解调系统
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