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Si空位缺陷对Ca2Si电子结构及光学性质的影响研究
被引量:
1
1
作者
邓永荣
陈秋琳
+1 位作者
骆远征
闫万珺
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第4期278-281,共4页
基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε2、吸收系数向低能...
基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε2、吸收系数向低能方向移动。
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关键词
Ca2
si
si空位缺陷
第一性原理
电子结构
光学特性
下载PDF
职称材料
题名
Si空位缺陷对Ca2Si电子结构及光学性质的影响研究
被引量:
1
1
作者
邓永荣
陈秋琳
骆远征
闫万珺
机构
安顺学院电子与信息工程学院
安顺学院数理学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第4期278-281,共4页
基金
贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字048号)
安顺学院创新团队资助课题(2015PT02号)
安顺学院材料模拟与计算重点实验室(Asxyxkpt 201803)
文摘
基于第一性原理的方法计算了含Si空位缺陷Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明,Si空位缺陷出现使Ca2Si的晶胞体积增大,带隙变宽,导电类型为n型,静态介电常数、反射率增大,介电函数虚部ε2、吸收系数向低能方向移动。
关键词
Ca2
si
si空位缺陷
第一性原理
电子结构
光学特性
Keywords
Ca2
si
si
vacancy defect
first principle
electronic structure
optical properties
分类号
O474 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si空位缺陷对Ca2Si电子结构及光学性质的影响研究
邓永荣
陈秋琳
骆远征
闫万珺
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
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条
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参考文献
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