1
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Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响 |
谭伟石
吴小山
蒋树声
贾全杰
郑文莉
姜晓明
郑鸿样
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《北京同步辐射装置年报》
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2002 |
0 |
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2
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Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长 |
王荣华
韩平
夏冬梅
李志兵
韩甜甜
刘成祥
符凯
谢自力
修向前
朱顺明
顾书林
施毅
张荣
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
3
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3
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Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布 |
夏冬梅
王荣华
王琦
韩平
梅琴
陈刚
谢自力
修向前
朱顺明
顾书林
施毅
张荣
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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4
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采用Si_(1-x)Ge_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析 |
张航
陈诺夫
杨秀钰
徐甲然
陈梦
陶泉丽
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《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2019 |
0 |
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5
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Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响 |
葛瑞萍
韩平
吴军
王荣华
俞斐
赵红
俞慧强
谢自力
张荣
郑有炓
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《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
0 |
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6
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脉冲激光沉积金刚石基c轴取向LiNbO3压电薄膜 |
田四方
梅欣丽
赵明岗
王前进
王新昌
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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