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无定型Si-C-O-N涂层的XPS分析 被引量:13
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作者 唐惠东 李龙珠 +1 位作者 孙媛媛 谭寿洪 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期4-9,共6页
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态。结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp... 采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态。结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降。溅射功率对涂层组成的影响很大:随着溅射功率的增加,Si元素结合能增加,这主要是溅射产额增加的缘故;而N元素的含量则迅速上升,这主要归因于高溅射功率下N-Si键的增加和更多N-C键的结合。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 si-c-o-n涂层 XPS 分峰拟合
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无定型Si-C-O-N涂层用于SSiC陶瓷的表面改性研究 被引量:4
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作者 唐惠东 孙媛媛 +1 位作者 李龙珠 谭寿洪 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期248-252,共5页
为了改善SSiC陶瓷反射率较低的情况,采用RF磁控溅射法在SSiC陶瓷表面涂覆了无定型Si-C-O-N涂层。借助XRD、FTIR、XPS等手段对涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率。结果显示:涂层主要由Si-N、Si-C和Si-O键组成,涂层... 为了改善SSiC陶瓷反射率较低的情况,采用RF磁控溅射法在SSiC陶瓷表面涂覆了无定型Si-C-O-N涂层。借助XRD、FTIR、XPS等手段对涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率。结果显示:涂层主要由Si-N、Si-C和Si-O键组成,涂层抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度可达埃级,在可见光波段可将反射率的最低值提升至90%。并运用标量散射理论分析了反射率提高的主要原因。 展开更多
关键词 SSiC si-c-o-n涂层 反射率 标量散射理论
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无定形Si-C-O-N涂层的光学性能研究 被引量:1
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作者 唐惠东 孙媛媛 +1 位作者 李龙珠 谭寿洪 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2013年第1期1-4,共4页
利用射频磁控溅射法,在SSiC陶瓷表面沉积一层无定形Si-C-O-N涂层,测试了抛光后的涂层和SSiC陶瓷在不同波段的反射率情况。结果表明:在软X射线波段,涂层的反射率小于SSiC陶瓷;在EUV波段,两者反射率基本相当;在UV-VIS-NIR波段,涂层的反射... 利用射频磁控溅射法,在SSiC陶瓷表面沉积一层无定形Si-C-O-N涂层,测试了抛光后的涂层和SSiC陶瓷在不同波段的反射率情况。结果表明:在软X射线波段,涂层的反射率小于SSiC陶瓷;在EUV波段,两者反射率基本相当;在UV-VIS-NIR波段,涂层的反射率优于SSiC陶瓷。这主要归因于表面粗糙度和涂层中氧元素对反射率共同作用的结果。 展开更多
关键词 si-c-o-n涂层 软X射线 EUV UV-VIS-NIR 反射率
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无定形Si-C-O-N涂层的制备及其性能研究 被引量:1
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作者 唐惠东 李龙珠 +1 位作者 孙媛媛 谭寿洪 《真空》 CAS 2012年第1期74-77,共4页
采用射频磁控溅射法在无压烧结SiC陶瓷基片上沉积了无定形Si-C-O-N涂层。利用FESEM观察了涂层的表面形貌,结果显示:随着溅射功率的增加,涂层的表面缺陷逐渐减少,结构趋向致密化。这主要归因于偏压引起的离子轰击,使团聚在衬底表面的原... 采用射频磁控溅射法在无压烧结SiC陶瓷基片上沉积了无定形Si-C-O-N涂层。利用FESEM观察了涂层的表面形貌,结果显示:随着溅射功率的增加,涂层的表面缺陷逐渐减少,结构趋向致密化。这主要归因于偏压引起的离子轰击,使团聚在衬底表面的原子移动。采用纳米力学综合测试系统测试了涂层的力学性能,结果显示:随着溅射功率的增加,涂层弹性模量和显微硬度降低,这主要是由于涂层中Si-C键含量降低的缘故;随着溅射气压的增加,涂层弹性模量和显微硬度降低,这主要是由于被激发原子自身动能降低的原因。 展开更多
关键词 射频磁控溅射法 si-c-o-n涂层 弹性模量 显微硬度
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等离子体加热脱SiO_2制取ZrO_2的C-N-O图
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作者 袁章福 曾加庆 +1 位作者 万天骥 潘贻芳 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1997年第4期289-294,共6页
在150kW等离子体装置中,制取脱硅锆(ZrO28860%~9690%)和稳定型氧化锆(ZrO29154%、MgO539%),探讨了温度、时间和配碳量等对脱SiO2率的影响建立了Si-C-N-O系和Zr-C... 在150kW等离子体装置中,制取脱硅锆(ZrO28860%~9690%)和稳定型氧化锆(ZrO29154%、MgO539%),探讨了温度、时间和配碳量等对脱SiO2率的影响建立了Si-C-N-O系和Zr-C-N-O系相平衡图,从理论上说明不具备生成Si3N4的热力学条件。 展开更多
关键词 等离子体加热 稳定型 氧化锆 脱硅
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Si-C-O-N系统相稳定性和相稳定性图 被引量:1
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作者 凌志达 《南京化工学院学报》 1994年第1期33-39,共7页
对Si-C-O-N系统进行了平衡状态下的相稳定性计算,绘制了在1473K和1573K下的Si3N4、SiC、Si2N2O和SiO2相稳定性与N2分压和O2分压的关系图以及N2分压和SiO分区的关系图,Si3N4/Si... 对Si-C-O-N系统进行了平衡状态下的相稳定性计算,绘制了在1473K和1573K下的Si3N4、SiC、Si2N2O和SiO2相稳定性与N2分压和O2分压的关系图以及N2分压和SiO分区的关系图,Si3N4/Si2N2O/SiC、SiO2/Si2N2O/SiC两个三固相平衡点与N2分压、O2分压和SiO分压以及温度的函数关系日。并以此确定C纤维-SiC纤维转变和C纤维上涂层SiC过程中,为获得稳定SiC相的气体分压。 展开更多
关键词 si-c-o-n系统 相稳定性 气体分压 相稳定性图 陶瓷
全文增补中
Structures, relative stability and dissociation of [Si,N,C,O]^(2+) isomers 被引量:2
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作者 池玉娟 李泽生 +2 位作者 于海涛 孙家钟 傅宏刚 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2002年第6期561-569,共9页
Fifteen isomers of [Si,N,C,O]2+ system are obtained at UB3LYP/6-311G(d) and UCCSD(T)/6-311+G(2df) (single-point) levels. The analyses are made for predicting the structures of optimized isomers, while ionic fragments ... Fifteen isomers of [Si,N,C,O]2+ system are obtained at UB3LYP/6-311G(d) and UCCSD(T)/6-311+G(2df) (single-point) levels. The analyses are made for predicting the structures of optimized isomers, while ionic fragments with lower energies are suggested. The calculated results indicate that linear isomer SiNCO2+(2Π) is thermodynamically the most stable species in [Si,N,C,O]2+ system, followed by linear SiOCN2+ (2Π), SiCNO2+ (2Π), and SiC(NO) (2A) with NCO three-membered ring. The order of stability of several kinetically stable isomers is SiNCO2> SiCNO2+ (2Π)>SiOCN2+>SiC(NO)2+>OSiNC2+ (2Π). The obtained results by analyzing the isomerizations and ionic fragment patterns show that the signal peaks of [Si,N,C,O]2+ are attributed to the contribution of linear SiNCO2+ species, which is metastable and can dissociate to the ionic fragments in the mass spectrometry experiments. 展开更多
关键词 [Si N C O]2+ system isomerization stability dissociation.
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