用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的...用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。展开更多
利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高...利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂。在硅和氧化硅中,最大 Er 体浓度分别达到 4.71×1021 cm–3 和7.67 ×1021 cm–3,远超过了常规方法所能得到的 Er 掺杂浓度。但是由于 Er 离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了 Er 原子浓度的进一步提高。在注量相同时,随束流密度的增加,Er 外扩散效应增加。用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了 Er 原子的外扩散。本文中给出了溅射和外扩散引起的 Er 原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度 Er 的途径。Er 注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加 Er 保留量逐渐达到饱和,饱和量接近 2×1017 cm–2,而丢失量增加。展开更多
文摘用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。
文摘利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的 Er 离子对单晶硅和单晶硅衬底上的 SiO2 膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下 Er 原子浓度分布。实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er 硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂。在硅和氧化硅中,最大 Er 体浓度分别达到 4.71×1021 cm–3 和7.67 ×1021 cm–3,远超过了常规方法所能得到的 Er 掺杂浓度。但是由于 Er 离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了 Er 原子浓度的进一步提高。在注量相同时,随束流密度的增加,Er 外扩散效应增加。用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了 Er 原子的外扩散。本文中给出了溅射和外扩散引起的 Er 原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度 Er 的途径。Er 注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加 Er 保留量逐渐达到饱和,饱和量接近 2×1017 cm–2,而丢失量增加。
