采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd...采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd/Si_3N_4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si_3N_4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si_3N_4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 k A/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si_3N_4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si_3N_4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。展开更多
In this paper, the electrical parameters of Au/n-Si （MS） and Au/Si3N4/n-Si （MIS） Schottky diodes are obtained from the forward bias current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at room temp...In this paper, the electrical parameters of Au/n-Si （MS） and Au/Si3N4/n-Si （MIS） Schottky diodes are obtained from the forward bias current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at room temperature. Experimental results show that the rectifying ratios of the MS and MIS diodes at ± 5 V are found to be 1.25 ×103 and 1.27 ×104, respectively. The main electrical parameters of the MS and MIS diodes, such as the zero-bias barrier height （rbBo） and ideality factor （n）, are calculated to be 0.51 eV （I-V）, 0.53 eV （C-V）, and 4.43, and 0.65 eV （I-V）, 0.70 eV （C-V）, and 3.44, respectively. In addition, the energy density distribution profile of the interface states （Nss） is obtained from the forward bias I-V, and the series resistance （Rs） values for the two diodes are calculated from Cheung＇s method and Ohm＇s law.展开更多
文摘采用磁控溅射的方法制备了Si_3N_4/FePd/Si_3N_4三层膜,研究了非磁性材料Si_3N_4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si_3N_4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si_3N_4/FePd/Si_3N_4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si_3N_4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si_3N_4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 k A/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si_3N_4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si_3N_4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。
基金supported by Gazi University Scientific Research Project (BAP),FEF. 05/2012-15
文摘In this paper, the electrical parameters of Au/n-Si （MS） and Au/Si3N4/n-Si （MIS） Schottky diodes are obtained from the forward bias current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at room temperature. Experimental results show that the rectifying ratios of the MS and MIS diodes at ± 5 V are found to be 1.25 ×103 and 1.27 ×104, respectively. The main electrical parameters of the MS and MIS diodes, such as the zero-bias barrier height （rbBo） and ideality factor （n）, are calculated to be 0.51 eV （I-V）, 0.53 eV （C-V）, and 4.43, and 0.65 eV （I-V）, 0.70 eV （C-V）, and 3.44, respectively. In addition, the energy density distribution profile of the interface states （Nss） is obtained from the forward bias I-V, and the series resistance （Rs） values for the two diodes are calculated from Cheung＇s method and Ohm＇s law.
