双波段射频合成器SI4133及其在CDMA直放站中的应用

本文介绍了SI4133双波段射频合成器芯片的性能以及在CDMA直放站中的实际应用。

基于Si4133频率合成器的设计与实现

介绍了Si4133双波段射频合成芯片的工作原理,设计并实现了基于Si4133的射频链路收发信机系统中的频率合成器。该频率合成器集成度高,抗干扰性强,频率稳定性好,可采用单片机编程控制频率的变化。其相位噪声在340MHz处达到-102.61dBc/Hz@1kHz、680MHz处达到-94.75dB/Hz@1kHz,杂散抑制度达到77dBc。通过实际应用证明了该频率合成器能够良好地满足OFDM多载波高速图像传输系统的要求。

集成锁相环芯片Si4133的原理及应用

Si4133是Silicon Labs公司生产的单片集成锁相环电路,可广泛用于射频和中频频率合成。介绍了Si4133频率合成器芯片的工作原理和功能结构,并给出了该芯片的典型应用电路和使用方法。测试结果显示,该频率源相位噪声低,杂散低,具有较强的实用性。

集成锁相环芯片Si4133的应用及调试

利用集成锁相环芯片Si4133设计了434MHz的超外差发射/接收机本振。介绍芯片外围调整振荡回路总电感来设置中心频率和输出匹配的方法;利用芯片的I2C总线接口对N、R两个分频寄存器进行编程,讨论影响锁相环输出相位噪声的三个主要因素及控制方法。利用DLPortIO软件对电路进行了调试,给出了实际电路的输出信号频谱测试结果。

SI4133G及其在低功耗快速宽带频率合成器中的应用

本文介绍了SI4133G频率合成器芯片的性能以及在宽带频率合成器中的应用。

基于Si4123/Si4133W芯片的无线通信系统频率源的设计与实现

介绍了Si4 12 3/Si4 133W频率合成器芯片的工作原理和功能结构 ,以及在具体通信系统中以该芯片为核心的频率源的设计方法和实现过程。测试结果显示 ,该频率源相位噪声较低 ,杂散低 。

频率综合器的小型化设计

小型化是现代电子通信系统的一个重要的研究方向,射频信道的小型化设计重点是频率综合器的小型化设计。介绍了采用集成度很高的频率合成器芯片Si4133来设计频率综合器的方法、Si4133频率合成器芯片的工作原理和功能结构,以及在具体通信系统中以该芯片为核心的频率源的实现过程。测试结果显示,该频率源相位噪声较低、杂散低,满足设计和系统使用要求。

用于双频手机的频率合成器Si4132/4133

Ｓｉ４１３２／ ４１３３ 电路是美国Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ 公司推出的用于双频手机并含有压控振荡器的完整频率合成器，它由两个射频环、一个中频环、三个压控振荡器和三线控制器以及一个２２ 位的数据寄存器构成。该电路在３Ｖ 电源电压下工作，功耗电流小于１５ｍ Ａ，在待机状态下，其功耗电流小于１μＡ，可广泛用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００ 双频移动通讯系统中。