Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。