一维β-SiAlON材料可控合成

以si粉、A1粉和A1203粉为原料压制成条样，在1650～1850K氮气和埋si3N4颗粒气氛下分别合成了β-SiAlON晶须、带状和柱状晶，并系统研究了一维β-SiAlON材料可控合成条件，进而结合热力学分析了一维β-SiAlON材料的生长机制。结果表明：以si粉、Al粉和A1203为原料，在氮气（纯度99．9％）和埋Si3N4颗粒气氛下在1650-1850K保温6h，可以合成不同形貌的一维D．SiAlON材料。生长温度是一维β-SiAlON材料形貌控制的关键因素。生长温度为1650K时，合成了β-SiAlON晶须，晶须直径200,-400nlTh长径比100~1000；生长温度在1700--1800K时，可以合成β—SiAlON带状晶体，厚度为200mTl，宽度为l~4凹1，长宽比在10-20之间；生长温度升高至1800K时，出现大量柱状晶体。结合晶须显微结构形貌和热力学分析，B．SiAlON晶须的生长机制为气-固（VS）生长机制。

一维SiAlON的合成及其生长机理

SiAlON具有优异的常温、高温力学性能和良好的化学稳定性,是一种重要的高温结构材料。一维SiAlON(纳米线、纳米棒、纳米带等)特有的单晶结构更是赋予了其优异的力学性能以及独特的光学和电学性能,使其在高温陶瓷、光学及电学等领域具有广阔的应用前景。综述了近年来一维SiAlON的研究现状,总结了一维SiAlON的合成及其生长机理,并展望了其应用前景及发展方向。