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SiB437EDKT:P沟道TrenchFET功率MOSFET
1
《世界电子元器件》
2011年第9期38-38,共1页
VishayIntertechnology推出占位面积为1.6mm×1.6mm、高度小于0.8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。
关键词
功率MOSFET
P沟道
sib437edkt
电子元件
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职称材料
题名
SiB437EDKT:P沟道TrenchFET功率MOSFET
1
出处
《世界电子元器件》
2011年第9期38-38,共1页
文摘
VishayIntertechnology推出占位面积为1.6mm×1.6mm、高度小于0.8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。
关键词
功率MOSFET
P沟道
sib437edkt
电子元件
分类号
TN602 [电子电信—电路与系统]
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1
SiB437EDKT:P沟道TrenchFET功率MOSFET
《世界电子元器件》
2011
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