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CORRELATION BETWEEN TENSILE STRENGTH AND SURFACE MORPHOLOGY OF SiC FILAMENT
1
作者 SHI Nanlin LIU Qingmin CHANG Xinchun QUAN Rong XIA Fei Institute of Metal Research,Academia Sinica,Shenyang,China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1990年第12期439-442,共4页
The surface morphology of the continuous SiC filament,prepared by radio frequency heating CVD technique,has been observed and the tensile strength of the filament related to the technological parameters of preparation... The surface morphology of the continuous SiC filament,prepared by radio frequency heating CVD technique,has been observed and the tensile strength of the filament related to the technological parameters of preparation has also been investigated.The tensile strength is found to be dependent directly upon the surface smoothness,grain size and uniformity.How- ever,the CVD temperature,the composition and flow rate of reactive gases,as well as the cleansing of W wire substrate,etc.,are the very important factors.A protective layer coated over the outer surface of SiC filament may effectively improve the smoothness,susceptibility to surface damage and properties of the SiC filament. 展开更多
关键词 sic filament surface morpology susceptiibility to surface damage
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SiC纤维的强度与表面微观形貌 被引量:12
2
作者 石南林 刘清民 +2 位作者 常新春 全荣 夏非 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期B225-B228,共4页
采用射频加热CVD法制备出连续SiC纤维。观察和研究了纤维表面微观形貌的种类以及与纤维强度和制备工艺参数之间的关系。结果表明,纤维强度与纤维表面光滑性、晶粒大小及均匀性有直接关系;而CVD过程的温度、反应气体的组分、流量以及钨... 采用射频加热CVD法制备出连续SiC纤维。观察和研究了纤维表面微观形貌的种类以及与纤维强度和制备工艺参数之间的关系。结果表明,纤维强度与纤维表面光滑性、晶粒大小及均匀性有直接关系;而CVD过程的温度、反应气体的组分、流量以及钨丝载体清洁与否等是决定SiC纤维表面微观形貌的关键因素。在SiC纤维外表面涂敷一层保护涂层有效地提高了纤维的光滑性,缓解了SiC纤维的表面损伤敏感性,提高了纤维的性能。 展开更多
关键词 sic纤维 强度 表面 微观 形貌
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化学气相沉积法连续SiC纤维的研究现状和发展趋势 被引量:9
3
作者 刘翠霞 杨延清 +2 位作者 徐婷 马志军 陈彦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期35-37,40,共4页
综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间... 综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间的关系以及利用表面处理如何弥补SiC纤维的缺陷,指出了今后采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究重点和发展趋势。 展开更多
关键词 化学气相沉积 sic纤维 制备技术
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SiC纤维CVD涂层工艺研究 被引量:6
4
作者 蔡杉 李占一 +1 位作者 董妍 颜鸣皋 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第2期23-28,共6页
对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究。实验发现采用BCl3,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2~3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变。仅采用BCl3及CH... 对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究。实验发现采用BCl3,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2~3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变。仅采用BCl3及CH4作为CVD涂层工艺反应气体,在1180-1250℃即可沉积出表面光滑致密,厚度2—3mm的富碳B4C涂层,涂层后纤维性能可提高10%左右,且涂层与纤维结合强度很高,优于B4C 涂层与SiC纤维的结合强度。实验还发现SiC纤维涂覆B4C及富碳B4C涂层后,能有效阻隔界面反应,可大幅提高 SiC/Ti基复合材料的性能。 展开更多
关键词 sic纤维 B4C涂层 富碳B4C涂层 CVD工艺
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CVD法SiC(C芯)纤维的发展概况 被引量:5
5
作者 石南林 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第1期69-71,共3页
概述了CVD法SiC(C 芯)纤维的制备、性能、显微结构和应用。
关键词 CVD 复合材料 陶瓷纤维 碳化硅
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高性能CVD法SiC纤维的研制 被引量:5
6
作者 石南林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期53-54,共2页
使用射频加热CVD新工艺制备出带有碳表面涂层的高性能SiC(W芯)纤维;同时使用电化学方法对SiC纤维进行表面处理,制备出带有SiO_2表面涂层的高性能SiC(W芯)纤维。其力学性能均达到国际先进水平。以上SiC(W芯)纤维与金属基体,如铝、钛合金... 使用射频加热CVD新工艺制备出带有碳表面涂层的高性能SiC(W芯)纤维;同时使用电化学方法对SiC纤维进行表面处理,制备出带有SiO_2表面涂层的高性能SiC(W芯)纤维。其力学性能均达到国际先进水平。以上SiC(W芯)纤维与金属基体,如铝、钛合金等,以及树脂基体界面相容性良好;SiC(W芯)纤维/树脂基复合材料并具有明显的吸收电磁波的性能。 展开更多
关键词 sic(W芯)纤维 表面改性处理 CVD法 碳化硅纤维
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SiC薄膜的制备及其光敏特性 被引量:1
7
作者 赵武 邓周虎 +1 位作者 闫军锋 张志勇 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S1期37-40,共4页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进行分析.对该薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明:该薄膜为SiC薄膜且对不同波长、不同功率的光有一定的敏感特性,较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致,在高温光敏器件领域具有很大的应用潜力. 展开更多
关键词 碳化硅薄膜 热丝化学气相沉积 光敏特性
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涂层对CVD法SiC纤维拉伸断裂行为的影响
8
作者 刘翠霞 杨延清 罗贤 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第12期1004-1008,共5页
针对SiC纤维的表面缺陷引起的低强度断裂问题,采用CVD技术对SiC纤维进行了C涂层.利用了XRD和SEM分别对无C涂层SiC纤维和C涂层SiC纤维的晶体结构和表面形貌进行了表征,对比了其抗拉强度.结果表明SiC由β?SiC晶体组成,在(111)晶面方向上... 针对SiC纤维的表面缺陷引起的低强度断裂问题,采用CVD技术对SiC纤维进行了C涂层.利用了XRD和SEM分别对无C涂层SiC纤维和C涂层SiC纤维的晶体结构和表面形貌进行了表征,对比了其抗拉强度.结果表明SiC由β?SiC晶体组成,在(111)晶面方向上择优生长.涂C后SiC纤维表面光滑致密,表面缺陷较少,有效地降低了表面缺陷深度a值;涂C后SiC纤维的拉伸强度比无C涂层的抗拉强度增加了620MPa.因此,C涂层可以降低SiC纤维的表面缺陷,从而使SiC纤维的抗拉强度增加到2870MPa. 展开更多
关键词 sic纤维 化学气相沉积法 C涂层 抗拉强度
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CVD法SiC纤维沉积过程的正交试验研究
9
作者 刘翠霞 杨延清 徐婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B02期89-91,共3页
采用正交设计方法对CVD法制备SiC纤维的工艺过程进行了分析和研究。在CVD法SiC纤维沉积过程中,主要考虑了5种工艺因素和4个水平,计算了不同工艺因素条件下的方差,分析了各自影响的显著性。找出影响SiC纤维抗拉强度工艺因素的主次顺序,... 采用正交设计方法对CVD法制备SiC纤维的工艺过程进行了分析和研究。在CVD法SiC纤维沉积过程中,主要考虑了5种工艺因素和4个水平,计算了不同工艺因素条件下的方差,分析了各自影响的显著性。找出影响SiC纤维抗拉强度工艺因素的主次顺序,并讨论了主要工艺因素对沉积过程的影响机理。 展开更多
关键词 sic纤维 CVD 正交实验 抗拉强度
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不同标距下CVD钨芯SiC纤维强度的Weibull分布 被引量:2
10
作者 郝小辉 乔生儒 陈博 《理化检验(物理分册)》 CAS 2005年第10期487-490,共4页
对用冷壁气相沉积制备的CVD钨芯SiC纤维的抗拉强度分布进行了研究。用环氧树脂将纤维粘结在纸夹中进行拉伸,标距分别为10mm,25mm和50mm。结果表明,CVD钨芯SiC纤维室温下的强度服从Weibull分布。10mm,25mm和50mm标距下的Weibull模数分别... 对用冷壁气相沉积制备的CVD钨芯SiC纤维的抗拉强度分布进行了研究。用环氧树脂将纤维粘结在纸夹中进行拉伸,标距分别为10mm,25mm和50mm。结果表明,CVD钨芯SiC纤维室温下的强度服从Weibull分布。10mm,25mm和50mm标距下的Weibull模数分别为6.03,5.23和4.36,Weibull模数随试样标距增大而减小。纤维强度平均值在标距长度为25mm时最大,50mm时次之,10mm时最小。 展开更多
关键词 CVD-sic纤维 钨芯 标距 Weibull模数
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CVDSiC纤维的组分与强度
11
作者 郑敏 张蓬洲 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期23-26,共4页
采用射频CVD法制备出连续SiC(W)纤维。利用XPS分析手段研究了纤维的元素组成及形态与强度的关系。结果表明,纤维中的杂质特别是自由Si的存在对纤维抗拉强度有很大影响。
关键词 化学气相沉积 抗拉强度 碳化硅纤维
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C芯SiC纤维制备技术研究 被引量:1
12
作者 黄浩 闫曦 +2 位作者 陈大明 仝建峰 李臻熙 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期562-566,共5页
在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体。研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺... 在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体。研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察沉积温度,[H2]/[silane],气流量,Ar气流量对化学气相沉积SiC涂层的结构、性能的影响。并对涂层表面形貌及结构成分进行SEM,XRD,raman,AES分析。结果表明:在温度1200℃,[H2]/[silane]=1.4,气体流量4.89L/min,稀释气体0.2L/min时,纤维拉伸强度最好为3392MPa。其中纤维的性能对沉积温度,[H2]/[silane]最敏感。 展开更多
关键词 C芯sic纤维 化学气相沉积
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SiC 纤维的强度测试和评价
13
作者 石南林 常新春 夏非 《材料科学进展》 CSCD 1992年第5期423-426,共4页
测定了 SiC(W 芯)纤维的抗张强度,实验表明:对用 CVD 法制备的 SiC(W 芯)纤维的抗张强度测试值随试样标距的增大而降低,其室温抗张强度呈正态分布状态。当纤维拉伸试样标距为50mm 和25mm 时,SiC(W 芯)纤维室温抗张强度分别为3584.2±... 测定了 SiC(W 芯)纤维的抗张强度,实验表明:对用 CVD 法制备的 SiC(W 芯)纤维的抗张强度测试值随试样标距的增大而降低,其室温抗张强度呈正态分布状态。当纤维拉伸试样标距为50mm 和25mm 时,SiC(W 芯)纤维室温抗张强度分别为3584.2±403.7MPa 和3669.9±348.1MPa,其 Weibull 模数分别为9.8和11.9。 展开更多
关键词 CVD法 纤维 强度 碳化硅 测试
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热处理对W芯SiC纤维结构和力学性能的影响
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作者 刘帅 罗贤 +1 位作者 黄斌 杨延清 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期7-13,共7页
通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪、拉曼光谱分析和拉伸试验等手段研究了W芯SiC纤维在低真空环境中不同热处理温度下各组成部分的组织结构和纤维力学性能的变化规律。结果表明,在相同热处理制度下,W芯比W芯SiC纤维具有更高的抗拉强度... 通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪、拉曼光谱分析和拉伸试验等手段研究了W芯SiC纤维在低真空环境中不同热处理温度下各组成部分的组织结构和纤维力学性能的变化规律。结果表明,在相同热处理制度下,W芯比W芯SiC纤维具有更高的抗拉强度。W/SiC界面反应层和SiC沉积层在800℃×50 h热处理后均表现出良好的结构稳定性,这使W芯SiC纤维的抗拉强度可以保持在3.10 GPa。热处理温度进一步升高使W/SiC界面反应层厚度和界面孔洞尺寸显著增加,同时晶粒长大和表面凹坑缺陷的形成破坏了SiC沉积层的结构稳定性。在这些因素的共同作用下,W芯SiC纤维的Weibull模数经900℃×50 h热处理后下降至9.7,抗拉强度经1000℃×50 h热处理后下降至1.12 GPa。 展开更多
关键词 W芯sic纤维 热处理 显微结构 力学性能
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热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜(英文) 被引量:1
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作者 于威 孙运涛 +2 位作者 郑志远 韩理 傅广生 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期795-798,共4页
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL... 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品,观察到薄膜发出波长位于400~550nm范围内可见光辐射。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 纳米晶态 碳化硅薄膜 晶体结构 表面形貌 PL特性
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