游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比

通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。

硅锭线切割回收料制备SiC-Si_3N_4陶瓷的研究

以硅锭线切割回收料、普通碳化硅粉及硅粉为主要原料,用反应烧结工艺制备了碳化硅结合氮化硅陶瓷。试验着重要研究了颗粒级配及硅粉含量对SiC-Si3N4陶瓷制品的气孔率、力学强度等的影响。结果表明:当回收料占40%,配以40μm,30%,120μm,30%碳化硅粉为颗粒剂配,同时选择硅粉含量为20%时,反应烧结后,气孔率为18.1%,常温抗弯强度可达43.3MPa,可以满足低压铸铝等方面的要求。