亚微米SiC粉体的氧化过程

从热力学和动力学角度研究了亚微米级SiC粉体的氧化过程 ,结果表明 :当温度低于 80 0℃ ,亚微米级的SiC粉体很难在空气中氧化 ;但在较高温度下 (90 0～ 12 0 0℃ )极易氧化 ,且服从抛物线速度方程 ,受氧气通过SiO2 氧化膜的内扩散控制 ,反应的平均表观活化能为 143.4kJ/mol。

K_2O矿化剂对硅微粉结合SiC窑具析晶结构,性能与氧化动力学影响的研究

在硅微粉结合SiC窑具中添加适量的K2O矿化剂，能使体积效应大的a-方石英转化成体积效应小的α-鳞石英，其矿化能力与MnO2相当[1]，但比MnO2矿化剂更有适用价值。采用XRD法确定析晶结构及其含量，探讨析晶结构对窑具性能的影响，从中确定最佳的K2O添加量为1．5％。

CaO-MnO_2混合矿化剂对硅微粉结合的SiC窑具氧化动力学的影响

在硅微粉结合的SiC窑具中添加CaO -MnO2 混合矿化剂可显著降低SiC窑具的氧化度。实验表明用金斯特林格方程表征硅微粉结合的SiC窑具的氧化是不准确的 ,SiC试条的氧化可用经验方程来描述 ,当矿化剂添加量为 3 %时 ,测得窑具在 110 0℃下的氧化动力学方程为 :G =5 .2 3× 10 - 4τ0 .76 ,在 13 0 0℃下的氧化动力学方程为 :G =1.2 6× 10 - 2 τ0 .4 2 。

碳化硅粉体的氧化动力学行为

对颗粒碳化硅在温度范围 145 7- 1675K下的氧化性能进行了研究。发现采用沉降曲线法获得的粒度数据遵循对数统计分布 ;