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碳化硅压敏电阻非线性机理研究 被引量:3
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作者 王豫 胡一帆 陈敏 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第6期521-523,共3页
基于碳化硅压敏电阻的实验结果,提出了其中非线性电输运的物理模型,计算了非线性系数,阐明了组分和显微结构与性能的关系,与实验结果较好符合。讨论了建立统一的在压敏电阻传导物理模型的可能性。
关键词 碳化硅 压敏电阻 正离子迁移 晶界
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