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题名C^+注入Si中形成SiC的初步研究
被引量:2
- 1
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作者
吴春瑜
王颖
刘兴辉
黄和鸾
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机构
辽宁大学电子系
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出处
《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
2000年第1期46-48,共3页
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基金
辽宁省科委自然科学基金
辽宁省教委自然基金
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文摘
将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.
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关键词
碳化硅
离子束合成
能量损失谱
半导体材料
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Keywords
sic, iron beam synthesis, energy loss spectroscope.
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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题名SiC埋层的制备与性质研究
被引量:2
- 2
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作者
吴春瑜
沈桂芬
王颖
朱长纯
李玉魁
白纪彬
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机构
西安交通大学电子与信息工程学院
辽宁大学物理系
西安电力电子研究所
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第1期5-7,共3页
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基金
辽宁省科委自然科学基金(No.972094)
国家自然科学基金资助项目(No.69876013)
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文摘
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。
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关键词
离子束合成
能量损失谱
碳化硅埋层
半导体材料
制备
性质
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Keywords
sic
iron beam synthesis
energy loss spectroscope
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分类号
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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