为分析 Si C W层状复合材料增韧机理 ,对以 Si C陶瓷胶片为基体层 ,金属 W为夹层的 Si C W层状复合材料进行了力学性能测试 ,并用电镜法得到其断面显微结构照片。试验结果表明 :1)与 Si C单材料断裂韧性相比 ,Si C W层状复合材料的断韧...为分析 Si C W层状复合材料增韧机理 ,对以 Si C陶瓷胶片为基体层 ,金属 W为夹层的 Si C W层状复合材料进行了力学性能测试 ,并用电镜法得到其断面显微结构照片。试验结果表明 :1)与 Si C单材料断裂韧性相比 ,Si C W层状复合材料的断韧性增大 ;2 )在基体层厚度不变 ,夹层厚度为 10～ 5 0μm时 ,Si C W层状复合材料的断裂韧性随夹层厚度的增加而增大 ,而抗弯强度随之下降 ;3)材料在不同方向断裂韧性不同。 Si CW层状复合材料裂韧性增大的原因是 :1)夹层晶体颗粒大于基体层的 ,其沿晶断裂形式延长了裂纹扩展路径 ;2 )断裂过程中有晶片拨出消耗了能量 ;3)展开更多
文摘为分析 Si C W层状复合材料增韧机理 ,对以 Si C陶瓷胶片为基体层 ,金属 W为夹层的 Si C W层状复合材料进行了力学性能测试 ,并用电镜法得到其断面显微结构照片。试验结果表明 :1)与 Si C单材料断裂韧性相比 ,Si C W层状复合材料的断韧性增大 ;2 )在基体层厚度不变 ,夹层厚度为 10～ 5 0μm时 ,Si C W层状复合材料的断裂韧性随夹层厚度的增加而增大 ,而抗弯强度随之下降 ;3)材料在不同方向断裂韧性不同。 Si CW层状复合材料裂韧性增大的原因是 :1)夹层晶体颗粒大于基体层的 ,其沿晶断裂形式延长了裂纹扩展路径 ;2 )断裂过程中有晶片拨出消耗了能量 ;3)
