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SiC-SiO_2纳米复合薄膜的光致发光特性研究
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作者 张静 王印月 +1 位作者 刘雪芹 徐大印 《纳米科技》 2004年第1期-,共3页
利用射频 (RF) 共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得... 利用射频 (RF) 共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。 展开更多
关键词 sic—sio_2 纳米复合薄膜 光致发光 研究
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SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究 被引量:3
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作者 石礼伟 李玉国 +2 位作者 王书运 薛成山 庄惠照 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期41-43,共3页
采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果... 采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。 展开更多
关键词 sic/sio2复合薄膜 磁控共溅射 光致发光 缺陷
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红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性 被引量:2
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作者 钟志亲 刘洪军 +3 位作者 袁菁 王欧 刘畅 龚敏 《光散射学报》 2004年第3期256-259,共4页
本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散... 本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。 展开更多
关键词 红外反射谱 峰位漂移 sio2/6H-sic 退火
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SiO_2结合SiC棚板抗氧化涂层的研究 被引量:3
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作者 喻珍 《陶瓷研究》 2002年第4期14-16,共3页
该文针对SiO_2结合SiC窑具材料易氧化的特点研究了该材料的抗氧化涂层,并用试验验证了涂层 的抗氧化性能,结果表明:抗氧化涂层的抗氧化效果十分显著,具有很好的推广价值。
关键词 二氧化硅 碳化硅 sio2 sic棚板 抗氧化涂层 研究
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利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO_2特性 被引量:3
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作者 刘洪军 王鸥 +1 位作者 邬瑞彬 龚敏 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期707-710,共4页
通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧... 通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况,进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型. 展开更多
关键词 6H-sic sio2 红外反射 退火 密度
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硅灰与ZrSiO_4、SiC微粉中温结合机理的研究
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作者 李晓明 肖磊 《陶瓷学报》 CAS 1996年第4期21-26,共6页
本文研究了SiO2微粉及其与ZrSiO、SiC微粉在350℃~1200℃之间的显微结构,结果表明:SiO2微粉所形成的网状链合是它们具有高中温结合强度的原因。
关键词 碳化硅 强度 硅灰 硅酸锆 耐火材料
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Al/SiC界面结合机制的研究现状 被引量:16
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作者 陈建 潘复生 刘天模 《轻金属》 CSCD 北大核心 2000年第9期52-54,共3页
对SiC增强的铝基复合材料中Al/SiC界面结合机制的研究现状进行了综述 ,着重分析了Al/SiC体系的直接结合机制和界面反应结合机制 ,讨论了SiC表面SiO2
关键词 AL基复合材料 界面结合机制 sio2 sic
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6H-SiC材料的氧化特性 被引量:4
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作者 李跃进 杨银堂 +1 位作者 柴常春 任昌河 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期460-462,466,共4页
研究了 10 0 0~ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,在相同的生长条件下 ,6H SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度 ,且遵循相同的生长规律 .
关键词 6H-sic 氧化特性 二氧化硅
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Preparation and microwave absorption properties of Ni(Co/Zn/Cu)Fe_2O_4/SiC@SiO_2 composites 被引量:5
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作者 Peng Wang Ping-An Liu Sheng Ye 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期59-63,共5页
Ni(Co/Zn/Cu)Fe_2O_4/SiC@SiO_2, a microwave absorber, was prepared by the sol-gel method. The phase structure and the morphology of the microwave absorbers were characterized by X-Ray Diffraction(XRD) and scanning elec... Ni(Co/Zn/Cu)Fe_2O_4/SiC@SiO_2, a microwave absorber, was prepared by the sol-gel method. The phase structure and the morphology of the microwave absorbers were characterized by X-Ray Diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM), respectively. Laser sizer(LS) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis show the core-shell structure of SiC@SiO_2. Coaxial method was used to measure the microwave absorption properties of the prepared composites in the frequency range of 2-18 GHz. When 70 wt% SiC is wrapped by 30 wt% SiO_2,and 50 wt% NiFe_2O_4 is added into 50 wt% SiC@SiO_2, the as-prepared powders are found to have advanced microwave absorption properties with a minimum reflection loss(RL) of -32.26 dB at about 6.08 GHz, and the available bandwidth is approximately 2.1 GHz when the RL is below -10 dB. 展开更多
关键词 Ni(Co/Zn/Cu)Fe2O4/sic@sio2 Microwave absorption property: Sol-gel method CORE-SHELL structure
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Ni基合金NiCrAlY/YSZ涂层表面混杂溶胶-凝胶法制备高辐射率SiO2-SiC涂层(英文) 被引量:1
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作者 李明伟 林铁贵 +2 位作者 曾岗 何飞 赫晓东 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期310-312,共3页
采用混杂溶胶-凝胶法在GH4099合金的NiCrAlY/YSZ涂层表面制备高辐射率SiO2:F-SiC涂层。NiCrAlY层和YSZ层采用大气等离子喷涂法制备,高辐射涂层采用浸涂和烧结的方法制备。涂层的组织采用扫描电子显微镜和激光其聚焦显微镜观察,相组成采... 采用混杂溶胶-凝胶法在GH4099合金的NiCrAlY/YSZ涂层表面制备高辐射率SiO2:F-SiC涂层。NiCrAlY层和YSZ层采用大气等离子喷涂法制备,高辐射涂层采用浸涂和烧结的方法制备。涂层的组织采用扫描电子显微镜和激光其聚焦显微镜观察,相组成采用XRD分析。采用傅里叶红外辐射测试仪测量500℃下全法向发射率,并计算辐射系数。结果表明,涂层经700、800以及900℃烧结后,SiO2:F呈非晶态,经10次浸涂后烧结得到的SiO2:F-SiC层厚度不均匀,为530μm,而且10次浸涂层问没有出现不连续现象。在SiO2:F-SiC层中有贯穿型裂纹存在,但没有出现剥落现象,表明外涂层和YSZ层间具有合适的结合。涂层在500℃其有较高的辐射系数,822μm波段平均辐射系数达到0.85。 展开更多
关键词 混杂溶胶-凝胶法 涂层 辐射率 sio2 sic
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