SiC单晶多型体的判定以及立方外延薄膜3C—SiC／Si（001）中的孪晶与含量

利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心

西安理工大学电子工程系＆陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心碳化硅研究组从事半导体碳化硅晶体生长技术及生长设备研究开发10余年，开发成功具有自主知识产权的TDL16型碳化硅晶体生长设备和生长工艺，并成功制备出多个直径46-58mm的6H-SiC体单晶。