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第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展 被引量:4
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作者 郑泰山 阮毅 王寅飞 《机电工程技术》 2016年第3期20-23,共4页
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出... 第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出更加成熟的SiC晶体生长设备的重要性。 展开更多
关键词 第三代半导体 sic晶体 sic晶体生长设备 sic晶体生长工艺
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