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第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展
被引量:
4
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作者
郑泰山
阮毅
王寅飞
《机电工程技术》
2016年第3期20-23,共4页
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出...
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出更加成熟的SiC晶体生长设备的重要性。
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关键词
第三代半导体
sic
晶体
sic晶体生长设备
sic
晶体生长
工艺
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职称材料
题名
第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展
被引量:
4
1
作者
郑泰山
阮毅
王寅飞
机构
广东省机械研究所
出处
《机电工程技术》
2016年第3期20-23,共4页
基金
广东省科技计划资助项目(编号:2014B070706031)
文摘
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料,重点介绍了SiC晶体生长方法,SiC晶体生长设备基本构成,设备技术国内外进展情况,最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出更加成熟的SiC晶体生长设备的重要性。
关键词
第三代半导体
sic
晶体
sic晶体生长设备
sic
晶体生长
工艺
Keywords
the third generation semiconductor
sic
crystal
sic
crystal growth furnace
sic
crystal growth process
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展
郑泰山
阮毅
王寅飞
《机电工程技术》
2016
4
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