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电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究
被引量:
39
1
作者
张栋
范涛
+8 位作者
温旭辉
宁圃奇
李磊
邰翔
李晔
段卓琳
何国林
张少昆
郑丹
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第19期5624-5634,共11页
碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效...
碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)模块、直流支撑电容器、控制和驱动电路以及电磁干扰(electro-magneticInterference,EMI)滤波器的设计方法。在SiC模块方面,研究多芯片并联结构MOSFET的布局评价体系,以此为基础设计包含72个SiC芯片的SiC MOSFET模块。在直流支撑电容器方面,以减小电容器体积为目标,结构上与控制器壳体统一设计,电气参数上建立描述电机系统性能与电容器容值及许用纹波电流关系的数学模型,优选最为合适的参数,减小电容器体积。在控制和驱动电路方面,通过采用非隔离电源系统、多层电路板等手段,减小电子系统的电路面积,开发出仅信用卡大小的超紧凑主控板和能够与SiC模块直接插接的紧凑型驱动板。在EMI滤波器方面,提出滤波器拓扑和滤波元件参数同步设计方法,有助于解决EMI滤波器设计中反复试验迭代和过设计的问题。基于上述研究成果,开发出峰值功率85kW,开关频率20k Hz,最高效率98.6%,功率密度37.1kW/L的全SiC电机驱动控制器。
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关键词
sic电机控制器
sic
MOSFET模块
薄膜电容器
电子系统
EMI滤波器
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职称材料
题名
电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究
被引量:
39
1
作者
张栋
范涛
温旭辉
宁圃奇
李磊
邰翔
李晔
段卓琳
何国林
张少昆
郑丹
机构
电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所)
中国科学院大学
北京航天发射技术研究所
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第19期5624-5634,共11页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0100600)~~
文摘
碳化硅(Siliconcarbide,SiC)作为世界公认的替代硅(Silicon,Si)的下一代半导体材料,具有耐压高、开关速度快、开关损耗小的优势,是实现车用电机控制器功率密度提升的关键要素。该文针对构成SiC控制器的关键部件,研究SiC金属氧化物场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)模块、直流支撑电容器、控制和驱动电路以及电磁干扰(electro-magneticInterference,EMI)滤波器的设计方法。在SiC模块方面,研究多芯片并联结构MOSFET的布局评价体系,以此为基础设计包含72个SiC芯片的SiC MOSFET模块。在直流支撑电容器方面,以减小电容器体积为目标,结构上与控制器壳体统一设计,电气参数上建立描述电机系统性能与电容器容值及许用纹波电流关系的数学模型,优选最为合适的参数,减小电容器体积。在控制和驱动电路方面,通过采用非隔离电源系统、多层电路板等手段,减小电子系统的电路面积,开发出仅信用卡大小的超紧凑主控板和能够与SiC模块直接插接的紧凑型驱动板。在EMI滤波器方面,提出滤波器拓扑和滤波元件参数同步设计方法,有助于解决EMI滤波器设计中反复试验迭代和过设计的问题。基于上述研究成果,开发出峰值功率85kW,开关频率20k Hz,最高效率98.6%,功率密度37.1kW/L的全SiC电机驱动控制器。
关键词
sic电机控制器
sic
MOSFET模块
薄膜电容器
电子系统
EMI滤波器
Keywords
sic
motor controller
sic
MOSFET module
film capacitor
electronic system
EMI filter
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电动汽车用高功率密度碳化硅电机控制器研究
张栋
范涛
温旭辉
宁圃奇
李磊
邰翔
李晔
段卓琳
何国林
张少昆
郑丹
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
39
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