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SiC肖特基接触的直接隧穿效应 被引量：5
1
作者 汤晓燕 张义门 +2 位作者 张玉明 郭辉 张林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期174-177,共4页
通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应.结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续地计算热电子发射电流和隧穿电流.
关键词 sic肖特基接触 直接隧穿 WKB近似
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