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沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响 被引量:1
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作者 宁来元 金腾 +4 位作者 李晓静 于盛旺 申艳艳 唐伟忠 贺志勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期784-789,共6页
采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层。使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚... 采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层。使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚石涂层的形貌和组成进行了分析,并对SiC涂层和金刚石涂层的附着力进行测试。结果表明,随着沉积温度升高,SiC涂层先由团聚在一起的β-SiC微晶相先转变为颗粒状和片状β-SiC,进而转变为团聚在一起的非晶态的SiC晶须;SiC涂层的厚度呈递增、致密度呈现先增强后减弱、表面粗糙度整体呈现先减小后增大、附着力呈先升高后降低的趋势。沉积温度为800℃时制备的片状SiC涂层与硬质合金基体有着良好的结合强度,将其作为过渡层时,能够在硬质合金表面制备出均匀、连续、致密的且附着力良好的金刚石涂层。 展开更多
关键词 sic过渡层 金刚石涂 沉积温度 硬质合金
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强电流直流伸展电弧法制备硬质合金微型工具的SiC过渡层和金刚石涂层
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作者 黑鸿君 李义锋 +2 位作者 刘艳青 唐伟忠 马世杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1172-1176,共5页
采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术在硬质合金微型工具表面沉积了SiC涂层作为过渡层,并在此基础之上制备了金刚石涂层。实验结果表明,采用HCDCA CVD技术在硬质合金表面制备的SiC纳米涂层连续、致密;此过渡层可有效地... 采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术在硬质合金微型工具表面沉积了SiC涂层作为过渡层,并在此基础之上制备了金刚石涂层。实验结果表明,采用HCDCA CVD技术在硬质合金表面制备的SiC纳米涂层连续、致密;此过渡层可有效地抑制硬质合金基体中Co的外向扩散,确保在不进行酸蚀去Co预处理的情况下,金刚石涂层对硬质合金基体具有良好的附着力。切削检测的结果表明,实验所制备的SiC过渡层/金刚石涂层的微型铣刀与未涂层微型铣刀相比,切削刃没有切削屑的粘结,且加工后的工件表面上毛刺较少。这些结果表明,SiC过渡层/金刚石涂层硬质合金微型工具将具有优异的加工性能。 展开更多
关键词 强电流直流伸展弧化学气相沉积(HCDCA CVD) sic过渡层 金刚石涂 微型工具
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以SiC过渡层为预处理工艺的金刚石涂层硬质合金微径铣刀研究
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作者 马世杰 刘佳 +1 位作者 王西彬 黑鸿君 《新技术新工艺》 2013年第5期1-5,共5页
研究了采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以SiC过渡层为预处理工艺,直径为0.8mm的微径铣刀上纳米金刚石涂层的制备。通过铣削6063DL31铝合金并与未涂层的微径铣刀进行对比,验证SiC过渡层+金刚石涂层微径铣刀的切削性能。结果表明,... 研究了采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以SiC过渡层为预处理工艺,直径为0.8mm的微径铣刀上纳米金刚石涂层的制备。通过铣削6063DL31铝合金并与未涂层的微径铣刀进行对比,验证SiC过渡层+金刚石涂层微径铣刀的切削性能。结果表明,SiC过渡层可以有效降低Co对金刚石涂层沉积的不利影响,改善金刚石涂层的附着力,同时,铝合金铣削试验表明,金刚石涂层微径铣刀可以有效降低切屑的黏结和毛刺的形成,并且显著降低加工工件的表面粗糙度;因此,薄SiC过渡层可以作为预处理工艺应用于微径铣刀上金刚石涂层的制备。 展开更多
关键词 微径铣刀 sic过渡层 纳米金刚石涂 切削性能
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SiC过渡层对氟化类金刚石薄膜附着特性的影响 被引量:3
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作者 潘越 赵强 +3 位作者 江舸 周杨 江美福 杨亦赏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期293-298,共6页
采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜:一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC),另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC.着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示,增加SiC过渡层后薄膜的附... 采用射频反应磁控溅射法在316L不锈钢基片上分别沉积了两种薄膜:一种是氟化类金刚石薄膜(F-DLC),另一种是先镀上一定厚度的SiC过渡层再沉积F-DLC.着重研究了薄膜的附着力随过渡层制备条件的变化规律.结果显示,增加SiC过渡层后薄膜的附着力明显增加,且附着力随SiC过渡层的制备条件有所变化,在射频输入功率为200W,沉积时间5min制备出的SiC过渡层上再沉积F-DLC时,附着力可达8.7N,远高于未加过渡层时F-DLC膜的附着力(4N).通过研究SiC的沉积速率曲线、表面形貌和红外光谱,探讨了SiC过渡层及其制备条件影响薄膜附着力的相关机制. 展开更多
关键词 F-DLC sic过渡层 红外光谱 附着力
原文传递
四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响 被引量:1
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作者 黑鸿君 于盛旺 +3 位作者 刘艳青 丁明辉 李义锋 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期402-407,共6页
采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层。本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以... 采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层。本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以及附着力进行了对比研究。在此基础上,实验选取表面连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层进行了金刚石涂层的沉积,并对金刚石涂层的形貌、质量以及附着力进行了表征。实验发现。随着TMS流量的增加,SiC涂层的沉积速率加快,连续和致密性逐渐改善,但其附着力明显降低。连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层,可以有效地抑制硬质合金中Co的扩散,消除Co在金刚石涂层沉积过程中的不利影响,获得附着力良好的纳米金刚石涂层。 展开更多
关键词 HCDCACVD sic过渡层 金刚石涂 附着力
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W-SiC-C/C复合材料制备及等离子烧蚀性能 被引量:2
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作者 王富强 陈建 +2 位作者 张智 谢栋 崔红 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期249-258,305,共11页
目的提高C/C复合材料在超高温下的抗烧蚀性能。方法采用化学气相沉积法,在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,然后以惰性气体保护等离子喷涂工艺在带有SiC过渡层的C/C材料表面制备W涂层,研究所制备的W-SiC-C/C复合材料的微观形貌与结构特征... 目的提高C/C复合材料在超高温下的抗烧蚀性能。方法采用化学气相沉积法,在C/C复合材料表面制备SiC过渡层,然后以惰性气体保护等离子喷涂工艺在带有SiC过渡层的C/C材料表面制备W涂层,研究所制备的W-SiC-C/C复合材料的微观形貌与结构特征。以200 kW超大功率等离子焰流,考核W-SiC-C/C材料的抗烧蚀性能,并与无涂层防护的C/C材料进行对比分析。结果W涂层主要为层状的柱状晶结构。W涂层与SiC过渡层、过渡层与基体界面呈镶嵌结构,结合良好。SiC过渡层阻止了W、C元素相互迁移与反应。在驻点压力为4.5 MPa、温度约5000 K、热流密度为36 MW/m^(2)的烧蚀条件下,当烧蚀时间小于10 s时,涂层对C/C材料起到了较好的保护作用,W涂层发生氧化烧蚀,基体未发现烧蚀,平均线烧蚀率为0.0523 mm/s;当烧蚀时间超过15 s后,涂层防护作用基本失效,基体C/C材料发生烧蚀现象。结论以W涂层、SiC过渡层为防护的C/C复合材料,能够适用于短时间超高温的烧蚀环境,如固体火箭发动机等。W涂层的熔融吸热、氧化耗氧以及SiC过渡层的氧化熔融缓解涂层热应力和氧扩散阻碍的联合作用,提高了C/C材料的抗烧蚀性能。 展开更多
关键词 W涂 sic过渡层 C/C复合材料 等离子喷涂 烧蚀性能 等离子体
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磁控溅射功率对玻璃基DLC薄膜的结构和硬度的影响 被引量:4
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作者 刘翔 赵青南 +4 位作者 张泽华 李渊 曾臻 董玉红 赵杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期3049-3053,共5页
用直流-射频磁控溅射镀膜工艺,在不同的溅射功率条件下,制备了玻璃/Si C/DLC(diamond-like carbon)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、共焦显微拉曼光谱仪(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、纳米显微硬度仪,研究了DLC薄膜的组织结构、物... 用直流-射频磁控溅射镀膜工艺,在不同的溅射功率条件下,制备了玻璃/Si C/DLC(diamond-like carbon)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、共焦显微拉曼光谱仪(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、纳米显微硬度仪,研究了DLC薄膜的组织结构、物相组成、表面形貌、维氏硬度。结果表明,随着功率的增大,ID/IG值先增大后减小,薄膜硬度呈现先增大后减小的趋势;当溅射功率为200 W时,ID/IG值为0. 56,镀膜玻璃的硬度值最大(830HV),相比未镀膜的玻璃基片,硬度值增加了23. 88%。 展开更多
关键词 DLC薄膜 硬度 磁控溅射功率 过渡sic
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