MnO+SiC高温熔融直接还原冶炼微C-Mn-Fe的理论分析

本文对MnO+SiC+(CaO)高温熔融直接还原法冶炼微C-Mn-Fe的理论和技术进行了全面分析,进而确认MnO+SiC+(CaO)高温熔融直接还原的各项参数。经分析证实了用SiC做还原剂与MnO在高温下直接还原而制得优质的微C-Mn-Fe理论的正确性,工艺技术的可靠性。

温度对碳热还原合成SiC晶须的影响

以工业硅溶胶和碳黑为主要原料，用溶胶—凝胶和碳热还原法进行了合成ＳｉＣ晶须的试验，探讨了合成温度对产物组成微观形貌的影响。结果表明：合成ＳｉＣ晶须适合的温度为１６００℃，在此条件下得到的产物中ＳｉＣ 晶须含量最高（７４％以上）、质量最好。

低温活化合成含硅氮氧化物材料研究进展

含硅氮氧化物是一类重要的结构/功能一体化材料,在耐磨耐蚀、高速切削、压力密封、发光基质和碱性催化等领域有重要应用。含硅氮氧化物制备技术经历了高温固相反应法、自蔓延高温合成法、碳热还原氮化法、湿化学合成结合碳热还原氮化法等演变,呈现持续发展的态势。本文综述了作者研究团队十余年在低温活化合成含硅氮氧化物粉体及纤维的研究进展,重点介绍基于介孔模板组装的微纳尺度碳热还原氮化法以及Si C还原辅助溶胶–凝胶氮化法制备含硅氮氧化物,并展望了低温活化合成含硅氮氧化物材料的发展方向和应用前景。

SiC与硅片切割废料氧化层的热力学分析与还原研究

金刚线硅片切割废料(DWSSP)是单晶硅片切割过程中产生的废料,含有大量高纯硅.如能将DWSSP有效回收可降低高纯硅生产成本和环境安全隐患,然而DWSSP硅颗粒表面存在SiO_(2)阻碍了硅的回收利用.基于此,作者提出一种采用SiC将DWSSP硅颗粒表面SiO_(2)还原为Si的新方法.首先通过热力学计算常压和真空下SiC还原SiO_(2)反应的可行性.热力学结果表明,常压下SiC还原SiO_(2)反应无法进行;真空下可降低ΔGT,真空度越低,反应温度越低,SiC还原SiO_(2)反应越容易进行.然后进行实验对热力学计算结果进行验证,实验结果表明,常压下未发现Si的存在,真空下随温度的升高SiO_(2)逐渐被还原为Si,与热力学计算结果一致.当真空度为10^(-3)Pa、还原温度为1973 K时,采用SiC可将SiO_(2)全部还原为Si.因此,进一步采用SiC对DWSSP硅颗粒表面SiO_(2)进行真空还原,结果表明,当真空度为10-3Pa,温度为1973 K时,SiC可有效地将DWSSP硅颗粒表面SiO_(2)全部还原为Si.本研究在真空条件下采用SiC还原DWSSP硅颗粒表面SiO_(2),可以增加高纯硅产率,减少高纯硅损失并降低反应所需温度节约能源,具有回收效率高、环境污染小等特点.