6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响

采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析。

多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI

SiCOI MESFET的特性分析

提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟。这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础。

一种新型介质槽隔离SiCOIMESFET

提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。模拟结果表明 ,新型结构器件与常规平面 Si COI MESFET器件相比 ,击穿电压得到很大提高 ,从 3 80 V提高到近 1 1 0 0 V,而饱和漏电流和跨导下降。但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化。该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础。