采用铸造方法制备了SiCp Al 10Si 0 5Mg、SiCp Al 5Si 0 5Mg复合材料,以常规透射电镜为主要分析手段,对复合材料中六方SiC颗粒上的台阶界面进行了研究。台阶界面产生于SiC颗粒上的局部区域。台阶上两个相交的小平面,其中之一是六方SiC...采用铸造方法制备了SiCp Al 10Si 0 5Mg、SiCp Al 5Si 0 5Mg复合材料,以常规透射电镜为主要分析手段,对复合材料中六方SiC颗粒上的台阶界面进行了研究。台阶界面产生于SiC颗粒上的局部区域。台阶上两个相交的小平面,其中之一是六方SiC晶体中的(0001)最密排面。台阶界面上增强体与基体结合良好。提出了台阶界面形成的两种机制。展开更多
文摘采用铸造方法制备了SiCp Al 10Si 0 5Mg、SiCp Al 5Si 0 5Mg复合材料,以常规透射电镜为主要分析手段,对复合材料中六方SiC颗粒上的台阶界面进行了研究。台阶界面产生于SiC颗粒上的局部区域。台阶上两个相交的小平面,其中之一是六方SiC晶体中的(0001)最密排面。台阶界面上增强体与基体结合良好。提出了台阶界面形成的两种机制。