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SiCl_4/H_2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测
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作者 祝祖送 林揆训 +1 位作者 林璇英 邱桂明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1599-1602,共4页
SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系... SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数:气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律。实验结果表明:随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大。此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析。本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数。 展开更多
关键词 加热Langmuir探针 电子特性 沉积速率 sicl4/h2等离子体
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H_3BO_3对微波等离子体法合成SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)的影响 被引量:6
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作者 孙文周 王兵 王玉乾 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期324-330,共7页
采用微波等离子体法合成SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会... 采用微波等离子体法合成SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会导致发光性能下降。本试验确定硼酸的最佳添加量为10%。综合检测分析结果推断,硼酸加入后在高温下大部分形成液相,并通过液相传质促进晶体生长,提高基质的结晶程度,同时促进稀土离子Eu2+,Dy3+进入晶格并使其分布更均匀;而少部分则会进入晶格发生B取代Al,引起晶体场畸变,从而提高了材料的发光强度和长余辉特性。 展开更多
关键词 长余辉发光材料 微波等离子体 SrAl2O4:Eu^2+ Dy^3+助熔剂 h3BO3 稀土
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C_4H_2等离子体放电产生的中性碳氢团簇(C_nH_m)分子束质谱表征
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作者 刘伟 刘佳宏 李雪春 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期799-802,共4页
利用分子束飞行时间质谱和激光电离技术研究C4H2等离子体放电过程产生的中性碳氢团簇(CnHm)的质谱分布、稳定结构和形成机理.实验结果显示,碳氢团簇的质谱峰分布与其所含碳原子的个数有关,当碳原子的个数小于等于8时,偶数碳的碳氢团簇... 利用分子束飞行时间质谱和激光电离技术研究C4H2等离子体放电过程产生的中性碳氢团簇(CnHm)的质谱分布、稳定结构和形成机理.实验结果显示,碳氢团簇的质谱峰分布与其所含碳原子的个数有关,当碳原子的个数小于等于8时,偶数碳的碳氢团簇由于共轭效应的影响,其稳定性和质谱峰的强度均大于奇数碳的碳氢团簇;当碳原子的个数大于等于9时,出现偶数和奇数碳氢团簇的相间分布,奇数碳的碳氢团簇的质谱峰强度大于与其相邻的两个偶数碳的碳氢团簇的;当碳原子的个数为6、8、9~15、17时,CnH3出现较强的质谱峰,这与其具有较低电离能有关.随着碳原子个数的增加,碳氢团簇质谱峰的强度总体呈现减弱趋势,这说明碳氢团簇的形成机理可能以碳原子分步加成为主. 展开更多
关键词 C4h2 等离子体放电 碳氢团簇 激光电离 分子束飞行时间质谱
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基于质谱诊断的C_4H_8/H_2等离子体状态在放电腔室的径向分布研究
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作者 艾星 陈果 +3 位作者 何小珊 张玲 何智兵 杜凯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1943-1948,1954,共7页
利用质谱研究了不同工艺参数下C_4H_8/H_2等离子体的离子组分和能量的径向分布规律,并分析了CH片段的裂解与聚合过程。结果表明,当工作压强较低时(≤7Pa),小分子CH片段的相对密度随径向距离的增大而逐渐减小,大分子CH片段则逐渐增多;随... 利用质谱研究了不同工艺参数下C_4H_8/H_2等离子体的离子组分和能量的径向分布规律,并分析了CH片段的裂解与聚合过程。结果表明,当工作压强较低时(≤7Pa),小分子CH片段的相对密度随径向距离的增大而逐渐减小,大分子CH片段则逐渐增多;随着工作压强的增大,CH片段的相对密度达到极值所对应的径向距离逐渐增大。当射频功率一定时,小分子CH片段的相对密度随径向距离增大而减小,大分子CH片段则逐渐增多。此外,离子能量随径向距离的增大均呈现出逐渐减小的趋势。当工作压强为3Pa、射频功率为20 W时,C_4H_8/H_2等离子体中CH片段的径向分布最均匀,有利于提高辉光放电聚合物薄膜结构与组分的均匀性。 展开更多
关键词 径向分布 C4h8/h2等离子体 工艺参数 辉光放电聚合物
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Langmuir探针对以SiCl_4/H_2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测
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作者 祝祖送 尹训昌 尤建村 《池州学院学报》 2015年第6期33-35,共3页
利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系... 利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 LANGMUIR探针 电子特性 sicl4/h2等离子体 沉积速率
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SiCl_4-H_2为气源低温制备多晶硅薄膜 被引量:7
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作者 黄创君 林璇英 +3 位作者 林揆训 余云鹏 余楚迎 池凌飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期650-652,共3页
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 sicl4/h2气源 低温生长 结晶度
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等离子体协助InZSM-5选择性催化还原贫燃NO_x 被引量:4
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作者 汪晶毅 聂勇 +2 位作者 钟侃 王黎明 关志成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期141-144,共4页
为了解等离子体协助选择性催化还原(SCR)贫燃NOx的效果及相关因素,以NO模拟尾气中NOx,C2H4为还原剂,InZSM-5为催化剂,空速为32000h-1,试验研究了NO/O2/N2/C2H4系统中,单独等离子体、单独SCR及等离子体协助SCR 3种技术路线下NOx的去除率... 为了解等离子体协助选择性催化还原(SCR)贫燃NOx的效果及相关因素,以NO模拟尾气中NOx,C2H4为还原剂,InZSM-5为催化剂,空速为32000h-1,试验研究了NO/O2/N2/C2H4系统中,单独等离子体、单独SCR及等离子体协助SCR 3种技术路线下NOx的去除率,并考察了等离子体电压、电源频率及空速对NOx去除的影响。试验发现:单独等离子体作用时NOx无法被有效的还原成N2,但等离子体在一定电压下可显著提高CH-SCR活性;较低空速下,等离子体协助InZSM-5效果明显提高;在2.5-4 kHz内,电源频率对等离子体协助SCR影响不大。 展开更多
关键词 等离子体协助SCR InZSM-5 NO NOx C2h4
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微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文) 被引量:2
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作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 制备 SiCN结晶膜 SiCN微米棒 Ch4 h2 N2 氰化硅 甲烷 氢气 氮气
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电感耦合等离子体-发射光谱分析中硫酸基体效应及抑制 被引量:5
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作者 高舸 陶锐 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期62-65,共4页
研究了电感耦合等离子体-发射光谱分析中的硫酸基体效应及克服干扰的有效方法。对2%-20%范围内4种不同体积分数H2SO4溶液中30种元素的基体效应进行了观察,发现H2SO4对各元素的谱线发射强度均存在明显的抑制作用。实验证实体积分数5%乙... 研究了电感耦合等离子体-发射光谱分析中的硫酸基体效应及克服干扰的有效方法。对2%-20%范围内4种不同体积分数H2SO4溶液中30种元素的基体效应进行了观察,发现H2SO4对各元素的谱线发射强度均存在明显的抑制作用。实验证实体积分数5%乙酸可有效抑制H2SO4的基体效应,并建立了H2SO4溶液中痕量元素的电感耦合等离子体-发射光谱分析法。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体-光发射光谱 h2SO4 基体效应
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O3和C2H4在介质阻挡放电转化NO中的作用 被引量:4
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作者 钟侃 聂勇 +3 位作者 汪晶毅 王黎明 关志成 贾志东 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期103-106,共4页
放电等离子体结合选择催化还原脱除NOx是一项很有前景的贫燃尾气治理技术,其预处理过程中,尾气中NO会向NO2转化。为了解重要的活性中间产物O3的作用和生成特性以及常见的烃类添加剂C2H4的作用,在介质阻挡放电等离子体反应器内进行了相... 放电等离子体结合选择催化还原脱除NOx是一项很有前景的贫燃尾气治理技术,其预处理过程中,尾气中NO会向NO2转化。为了解重要的活性中间产物O3的作用和生成特性以及常见的烃类添加剂C2H4的作用,在介质阻挡放电等离子体反应器内进行了相关实验研究。监测N2/O2,N2/O2/NO,N2/O2/C2H4,N2/O2/NO/C2H4共4个体系下的O3产生特性,并通过N2/O2/NO和N2/O2/NO/C2H4体系的比较考察C2H4对NO转化影响的结果表明:除N2/O2体系外,其它体系中都不会产生大量的O3;C2H4不但提高了NO的转化率,还明显地抑制放电过程NO的生成。可以推断,O3作为氧化剂能促进NO向NO2的转化,C2H4添加剂可以提高NO的转化率。 展开更多
关键词 O3 C2h4 贫燃发动机尾气 氮氧化物 介质阻挡放电 等离子体
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C_2H_2和C_4H_2放电产生碳氢团簇(C_nH_m)的质谱研究
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作者 刘伟 李雪春 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第3期368-371,共4页
利用分子束质谱结合激光电离技术检测乙炔(C2H2)和丁二炔(C4H2)不同碳氢配合物放电等离子体过程产生的中性碳氢团簇(CnHm),比较不同前驱物对碳氢团簇质谱分布和质谱强度的影响.实验结果表明,由C2H2和C4H2放电产生的碳氢团簇存在相似的... 利用分子束质谱结合激光电离技术检测乙炔(C2H2)和丁二炔(C4H2)不同碳氢配合物放电等离子体过程产生的中性碳氢团簇(CnHm),比较不同前驱物对碳氢团簇质谱分布和质谱强度的影响.实验结果表明,由C2H2和C4H2放电产生的碳氢团簇存在相似的质谱峰分布,即在碳原子个数不大于8时,偶数碳的碳氢团簇CnHm在质谱图上呈现的峰比奇数碳的碳氢团簇强;当碳原子个数大于9时,不同前驱物放电产生碳氢团簇CnHm在质谱图上均出现偶数和奇数碳氢团簇的相间分布,并随着碳原子个数的增加,碳氢团簇质谱峰的强度总体呈现减弱趋势.另外由于C2H2和C4H2结构不同,稳定性存在差异,在放电条件下产生的碎片不同,合成碳氢团簇的质谱峰在强度上存在差异. 展开更多
关键词 C2h2和C4h2 放电等离子体 碳氢团簇 激光电离 质谱
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C_2H_4对介质阻挡放电协同Ag/Al_2O_3脱除NO_x的影响及机理分析 被引量:4
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作者 朱翔宇 孙保民 +3 位作者 肖海平 王东 汪涛 张婷婷 《热力发电》 CAS 北大核心 2014年第7期115-118,共4页
在模拟实验系统上,利用介质阻挡放电(DBD)结合Ag/Al2O3催化剂进行烟气脱硝实验,分析了C2H4对脱除NOx的影响及脱除机理。结果表明:同样情况下,添加C2H4后,NO脱除率明显升高,并且随着C2H4浓度的升高而增加;同时,加载催化剂比未加载催化剂... 在模拟实验系统上,利用介质阻挡放电(DBD)结合Ag/Al2O3催化剂进行烟气脱硝实验,分析了C2H4对脱除NOx的影响及脱除机理。结果表明:同样情况下,添加C2H4后,NO脱除率明显升高,并且随着C2H4浓度的升高而增加;同时,加载催化剂比未加载催化剂的NO脱除率高。在能量输入密度300J/L、C2H4体积分数1%时,DBD协同Ag/Al2O3催化,NO脱除率达61.3%。分析认为:在DBD发生器中,C2H4与O2反应生成CH3O2·、HO2等强氧化性基团,将NO氧化成NO2;在催化装置中,C2H4与O2在Ag/Al2O3表面发生反应,产生更多的CH2=CH-O·和CH3COO·等自由基,最终使NOx脱除率升高。 展开更多
关键词 等离子体 介质阻挡放电 C2h4 AG AL2O3 催化剂 NOx脱除率
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H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响 被引量:3
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作者 祁菁 金晶 +3 位作者 胡海龙 高平奇 袁保和 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期5959-5963,共5页
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、... 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性. 展开更多
关键词 低温多晶Si薄膜 等离子体CVD Ar稀释Sih4 h2比例
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MPCVD等离子体中甲烷体积分数对基团分布的影响 被引量:3
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作者 李国伟 曹为 +2 位作者 吴建鹏 陶利平 马志斌(指导) 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期294-297,共4页
等离子体发射光谱学是探究等离子体参数、等离子体基团分布的有效工具。利用发射光谱技术对CH4/H2微波等离子体进行原位在线测量,研究了微波等离子体气相沉积过程中等离子体内部的基团种类以及甲烷体积分数对等离子体中各基团谱线强度... 等离子体发射光谱学是探究等离子体参数、等离子体基团分布的有效工具。利用发射光谱技术对CH4/H2微波等离子体进行原位在线测量,研究了微波等离子体气相沉积过程中等离子体内部的基团种类以及甲烷体积分数对等离子体中各基团谱线强度的影响,测量分析了等离子体中各基团的空间分布以及甲烷体积分数对空间分布的影响。结果表明,C2基团的发射光谱强度随甲烷体积分数的升高而迅速增强,CH、Hβ、Hγ与C2相对强度的比值随甲烷体积分数的增加而降低,并逐步趋于饱和;各基团空间分布的均匀性随甲烷体积分数的增加而变差。 展开更多
关键词 光谱学 发射光谱学 化学气相沉积法 Ch4 h2微波等离子体
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电感耦合等离子体发射光谱法检测血或尿中砷含量 被引量:1
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作者 吴玉红 栾燕 +2 位作者 高嵘 邢丽梅 宋辉 《广东公安科技》 2005年第1期18-19,共2页
建立了血、尿中砷含量的电感耦合等离子体发射光谱检测法。考查了HNO3--H2SO4消化 破坏有机质的方法,在193.695nm波长下用电感耦合等离子体发射光谱分别进行测定,根据 工作曲线进行定量。结果回收率分别为:101.1%和100.3%,线性范围均... 建立了血、尿中砷含量的电感耦合等离子体发射光谱检测法。考查了HNO3--H2SO4消化 破坏有机质的方法,在193.695nm波长下用电感耦合等离子体发射光谱分别进行测定,根据 工作曲线进行定量。结果回收率分别为:101.1%和100.3%,线性范围均为:0.05-0.6μg/ mL。该法操作简单,结果可靠,适合砷中毒血、尿含量检测,可作为司法鉴定常规检验 方法。 展开更多
关键词 砷含量 砷中毒 含量检测 常规检验 验方 检测法 定量 h2SO4 电感耦合等离子体发射光谱法 工作曲线
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A simple method for determining Hf in Zr and Zr alloys by ICP-AES 被引量:1
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作者 NABI Mehdi SHAHBAZI Pouyan 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2009年第6期340-343,共4页
This paper describes a rapid, accurate and precise method for determination of trace hafnium (Hf) in zirconium and zirconium alloys by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES). It was found th... This paper describes a rapid, accurate and precise method for determination of trace hafnium (Hf) in zirconium and zirconium alloys by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES). It was found that using a mixture of sulfuric acid (H2SO4) and ammonium sulfate (NH4)2SO4, the total sample dissolution time was 15 min. Experimental works revealed that a high Zr concentration would result in a significant decrease in the peak height of the analyte lines, which was corrected by standard addition method. The performance of the developed method was evaluated by calculating the recovery percent and using standard reference material analysis. The recoveries were in the range of 97.6%-99.5% and the relative standard deviations were within 0.8%-3.0%. The detection limit (3σ) of Hf was found to be 0.01 μg·g-1, respectively. The proposed technique, with high precision and accuracy, was applied to the analysis of trace Hf in zirconium-niobium ingots and tubes for the first time in Iran. 展开更多
关键词 锆合金 ICP AES 电感耦合等离子体原子发射光谱法 测定 h2SO4 标准加入法
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氢化非晶硅薄膜的制备与工艺参数优化 被引量:1
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作者 朱永航 刘一剑 +1 位作者 黄霞 黄惠良 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期706-710,共5页
采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H_2/SiH_4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出... 采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H_2/SiH_4气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H_2/SiH_4气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出氢化非晶硅薄膜,且通过改变实验条件,可以改变薄膜微观结构及成分;随着H_2/SiH_4气流量比的增加,SiH化合物含量增加,多氢化合物含量降低;适当增加射频功率,可以提高薄膜表面的均匀性,同时,功率的增加会使氢含量增加;此外,薄膜表面氢含量随工艺气压的降低而减小。 展开更多
关键词 氢化非晶硅薄膜 间接型射频等离子体 微观结构 h含量 h2/Sih4气流量比 工艺功率 工艺压强
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