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用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响
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作者 娄艳辉 王照奎 +1 位作者 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期12-15,共4页
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着... 用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×10^9cm^-3。结果发现,在0.4-0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln（n=0-2）基团很有利。在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值。生成较多的SiCln（n=0-2）基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量。 展开更多
关键词 氢稀释 纳米硅薄膜 sicln(n=0~2)基团
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Spatial distribution of SiCln （n=O-2） in SICl4 plasma measured by mass spectroscopy
2
作者 王照奎 林揆训 +2 位作者 娄艳辉 林璇英 祝祖送 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第10期2374-2377,共4页
关键词 空间分布 质量光谱测定诊断 沉积机制 射电频率
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