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SiC_(sf)/SiC-BN复合陶瓷的制备及抗氧化性能 被引量:1
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作者 杨治华 贾德昌 +2 位作者 周玉 石鹏远 宋成斌 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期18-22,共5页
制备了 Si C短纤维增强原位合成的 Si C- BN复合陶瓷 (Si Csf/ Si C- BN) ,对其氧化动力学进行了分析计算 ,并对不同成分的 Si Csf/ Si C- BN复合陶瓷在 80 0~ 12 0 0℃的氧化过程进行了研究。研究表明 ,Si3N4 ,B4 C和 C可以原位合成... 制备了 Si C短纤维增强原位合成的 Si C- BN复合陶瓷 (Si Csf/ Si C- BN) ,对其氧化动力学进行了分析计算 ,并对不同成分的 Si Csf/ Si C- BN复合陶瓷在 80 0~ 12 0 0℃的氧化过程进行了研究。研究表明 ,Si3N4 ,B4 C和 C可以原位合成复合陶瓷的基体。复合陶瓷在高温发生氧化时 ,Si C和 BN氧化产物主要为 Si O2 和 B2 O3。 展开更多
关键词 sicsf/sic—bn复合陶瓷 氧化 sic短纤维 原位合成
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放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si_3N_4BN层状复合材料 被引量:9
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作者 李翠伟 黄勇 +2 位作者 汪长安 汤珂 李淑琴 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1220-1226,共7页
采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须... 采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因.X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构. 展开更多
关键词 sic 晶须增强 Si3N4/bn层状复合材料 放电等离子烧结 氮化硅 氮化硼 陶瓷
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SiC晶须增强SiC_(f)/SiC复合材料的力学性能 被引量:6
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作者 姜卓钰 束小文 +4 位作者 吕晓旭 高晔 周怡然 董禹飞 焦健 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期89-96,共8页
以连续SiC纤维为增强体,采用前驱体浸渍裂解工艺,在复合材料基体中引入SiC晶须制备出多级增强的SiC_(f)/SiC-SiC_(w)复合材料,并采用化学气相渗透工艺在SiC晶须表面制备BN界面层,研究了SiC晶须及其表面BN界面层对复合材料的性能影响。... 以连续SiC纤维为增强体,采用前驱体浸渍裂解工艺,在复合材料基体中引入SiC晶须制备出多级增强的SiC_(f)/SiC-SiC_(w)复合材料,并采用化学气相渗透工艺在SiC晶须表面制备BN界面层,研究了SiC晶须及其表面BN界面层对复合材料的性能影响。结果表明:在复合材料中引入SiC晶须后,由于晶须的拔出、桥连及裂纹偏转等作用增加了裂纹在基体中传递时的能量消耗,使SiC_(f)/SiC复合材料的压缩强度有明显提高,当引入体积分数为20%的SiC晶须时,复合材料压缩强度提高了22.6%,可达673.9 MPa。通过化学气相渗透工艺在SiC晶须表面制备BN界面层后,复合材料的拉伸强度、弯曲强度和断裂韧度分别为414.0,800.3 MPa和22.2 MPa·m^(1/2),较SiC晶须表面无界面层时分别提高了13.9%,8.8%和19.0%。 展开更多
关键词 陶瓷复合材料 sic晶须 力学性能 bn界面层
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氮化硼纤维 被引量:1
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作者 黄汉生 《高科技纤维与应用》 CAS 1997年第Z5期20-24,共5页
1.前言 无机材料在先进技术领域起着极重要的作用,无机材料与以无机纤维为增强材料的先进纤维复合材料是21世纪大有发展前途、引人注目的材料。 本文简述无机纤维的结构与特性,重点介绍正处于开发阶段的氨化硼(BN)纤维的最近研究。2.
关键词 环硼氮烷 陶瓷纤维 氮化硼 bn纤维 无机纤维 熔融纺丝 sic纤维 前体法 耐热性 陶瓷复合材料
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