本文研究了 SiCw/Al 金属基复合材料的界面问题。用俄歇电子谱仪(AES)对断口表面和对它进行溅射剥层后分析的结果表明 SiC 晶须与基体 Al 结合良好。通过透射电镜和 X 射线能谱观测,没有发现界面反应层存在的迹象。分析表明既没有C、Si...本文研究了 SiCw/Al 金属基复合材料的界面问题。用俄歇电子谱仪(AES)对断口表面和对它进行溅射剥层后分析的结果表明 SiC 晶须与基体 Al 结合良好。通过透射电镜和 X 射线能谱观测,没有发现界面反应层存在的迹象。分析表明既没有C、Si 元素通过界面向基体中的扩散,也没有 Al 通过界面向晶须中的扩散。X 射线衍射试验结果进一步证实了这一点。研究还表明 SiC 晶须与其周围的 Al 基体可能存在某种位向关系。展开更多
基金the National Key Research and Development Program of China(No.2019YFB2006500)the High-tech Industry Technology Innovation Leading Plan of Hunan Province,China(No.2020GK2032)+1 种基金the Innovation Driven Program of Central South University,China(No.2019CX006)the Research Fund of the Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing at Central South University,China,for financial support。
文摘本文研究了 SiCw/Al 金属基复合材料的界面问题。用俄歇电子谱仪(AES)对断口表面和对它进行溅射剥层后分析的结果表明 SiC 晶须与基体 Al 结合良好。通过透射电镜和 X 射线能谱观测,没有发现界面反应层存在的迹象。分析表明既没有C、Si 元素通过界面向基体中的扩散,也没有 Al 通过界面向晶须中的扩散。X 射线衍射试验结果进一步证实了这一点。研究还表明 SiC 晶须与其周围的 Al 基体可能存在某种位向关系。