基于SIF模型与Apriori算法的煤矿顶板事故致因关联分析

为更科学地预防煤矿顶板事故的发生,对煤矿顶板事故致因及其关联规则进行识别十分关键。首先,通过文本挖掘并结合SIF事故致因模型,确定56个影响顶板事故发生的致因;其次,通过构建顶板事故数据库并运用Apriori算法进行顶板事故致因关联规则挖掘;最后,绘制顶板事故致因关联规则复杂网络图,并综合分析顶板事故的核心致因及各致因间的关联规则。结果表明:安全培训教育和安全监督管理、作业人员安全意识淡薄和违反作业规程、当班管理人员在现场的管理不到位和其他事故致因之间有着很高的关联度以及提升度,这些因素是造成煤矿顶板事故发生的核心因素。

高温干旱复合胁迫下冬小麦叶片和冠层尺度SIF与光合作用的关联变化特征研究

为探究高温干旱复合胁迫下叶片和冠层尺度日光诱导叶绿素荧光(solar-induced chlorophyll fluorescence,SIF)与植物光合作用的关系,开展冬小麦高温干旱复合胁迫田间试验,共设置三种水分条件[严重干旱(50%~60%田间持水量)、轻度干旱(65%~75%田间持水量)和正常供水对照组(80%~90%田间持水量)]和三个温度水平(半包式增温、全包式增温和大田环境温度对照组),分析不同胁迫处理下冠层和叶片尺度SIF、冠层总初级生产力(gross primary productivity,GPP)和叶片净光合速率(net photosynthetic rate,P_(n))的日变化和季节变化特征,探讨小麦叶片SIF与P_(n)和冠层SIF与GPP之间的关联性。结果表明,高温干旱复合胁迫下日尺度和季节尺度叶片和冠层SIF总体均呈现出单峰型变化特征,季节尺度冠层SIF对干旱胁迫的响应比叶片SIF明显,且高温干旱复合胁迫对叶片和冠层SIF的影响均大于单一高温或干旱胁迫。P_(n)和GPP总体分别呈现出双峰型和单峰型变化特征。高温干旱复合胁迫下叶片SIF与P_(n)的相关性(R^(2)=0.42)小于冠层SIF与GPP的相关性(R^(2)=0.52),随着单一胁迫的增强,二者之间的相关性逐渐降低,且干旱胁迫对二者关系以及P_(n)和GPP的影响均大于高温胁迫。此外,环境变量中温度对SIF与P_(n)关系的影响最大,其次是饱和水汽压差(vapor pressure deficit,VPD),光合有效辐射(photosynthetic active radiation,PAR)影响最小,且SIF与P_(n)之间的相关性随温度的增加逐渐降低,随VPD的增大先降后升,随PAR的增加先升后降。高温干旱复合胁迫下冠层和叶片SIF大小与植物光合作用强弱有一定关联性,并受环境变量影响。

SIF事故致因模型与DEMATEL方法在城市燃气安全管理中的应用

为解决传统燃气事故致因模型忽视安全信息重要性的缺陷,先利用SIF事故致因模型整合城市燃气运营与使用过程中的安全信息链,剖析复杂燃气系统中的安全信息流,并以此为框架识别和筛选城市燃气爆炸事故的影响因素;然后运用决策实验室分析(DEMATEL)方法定量分析燃气爆炸事故影响因素之间的相关关系,辨识关键性影响因素;最后选取湖北十堰“6·13”燃气爆炸事故作为分析案例,利用SIF事故致因模型与DEMATEL方法对该起城市燃气爆炸事故的影响因素进行分析,并提出具体的安全管理措施。结果表明:该事故致因模型有3个层级、6个责任主体和16项影响因素,其中5项影响因素是该城市燃气爆炸事故的关键性影响因素;保证必要安全信息充分、防范安全欺骗行为、预防安全信息链失效是保障城市燃气安全的有效途径。

关于磺化工艺SIS中SIF设计问题的探讨

针对企业在SIS全生命周期管理过程中,还存在风险分析不足、设计选型不当、冗余容错结构和安全联锁设计不合理等问题。笔者结合在精细化工企业的实际工作经验,指出本企业磺化工艺安装SIF的安全联锁设计问题,并就改进、优化SIF的安全联锁设计提出相应的建议。

PbSiF6─H2SiF6体系电沉积铅的电化学

采用动电位法研究了在ＰｂＳｉＦ６Ｈ２ＳｉＦ６电解液体系中，添加剂及工艺参数对电沉积Ｐｂ阴极过程的影响，探讨了电沉积Ｐｂ过程的电化学反应机理。研究结果表明，控制电解液含Ｐｂ量为４０～１２０ｇ／Ｌ，Ｈ２ＳｉＦ６为９０～１２０ｇ／Ｌ，添加剂木质磺酸钠为４ｇ／Ｌ时。

八面沸石用(NH_4)_2SiF_6脱铝补硅的研究——Ⅰ.反应条件的考察与样品的XRD结果

本文研究了温度、时间、NH_4Ac、(NH_4)_2SiF_6加入速度和反应物配比对八面沸石用(NH_4)SiF_6脱铝补硅反应的影响,并提出了反应机理,解释了反应条件的影响。由于存在相互制约的影响因素,有保持高结晶度的条件下,八面沸石可以较高程度地脱铝,但不能无限度地脱铝。

SiF_2自由基与异硫氰酸反应机理的理论研究

采用密度泛函理论B3LYP方法研究了SiF2自由基与异硫氰酸(HNCS)的反应机理,并在B3LYP/6-311++G**水平上对反应物、中间体、过渡态进行了全几何参数优化,通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定中间体和过渡态的真实性.为了得到更精确的能量值,又用CCSD(T)/6-311++G**方法计算了在B3LYP/6-311++G**水平优化后的各个驻点的相对能量.根据统计热力学及用Winger校正的Eyring过渡态理论,利用自编程序,计算不同温度下低势垒反应的平衡常数和速率常数,并且通过电子密度拓扑分析讨论了化学反应过程中主要化学键的生成和断裂.计算结果表明,单重态的SiF2自由基与HNCS反应有6条可能的反应通道,其中反应通道SiF2+HNCS→IM1→TS1→IM2HSiF2NCS(P1)为主反应通道.

SiH_2和SiF_2分子的结构与热力学性质

用密度泛函理论在B3LYP/6-311+G(3d2f)水平上计算研究SiH2和SiF2基态分子的结构与热力学性质,得到其热力学性质与温度的关系式和生成反应热力学性质与温度的关系.研究结果显示,SiH2分子和SiF2分子的基态均具有C2v对称性,电子态均为X1A1.气态SiH2分子不具有热力学稳定性,气态SiF2分子具有热力学稳定性.

Na_2SiF_6作为微晶玻璃晶核剂的研究

以氟金云母体系为基础玻璃 ,Na2 SiF6 为晶核剂进行了制备微晶玻璃的试验 ,对不同Na2 SiF6 加入量的试样进行了研究。结果表明 :Na2 SiF6 的加入量为 7%时 ,微晶玻璃晶化较完全 ,析出致密管状的氟金云母晶体 ,微晶玻璃的烧结温度最高 ,抗折强度达到 94MPa ,密度达到 2 .5 7g 。

FLINAK-Na_2SiF_6熔盐体系中Si的电结晶机理

在FLINAK-Na2SiF6熔盐体系中,以Pt为参比电极、硅钢片为工作电极、石墨为辅助电极,在750℃的温度下,用循环伏安法和计时安培法对硅的电结晶过程进行研究。结果表明,该熔盐体系中硅的电沉积经历了晶核形成过程,并需要一定的过电位,其电结晶按连续成核和三维生长方式进行,晶体生长速度常数k’的对数值与阶跃电位基本呈线性关系,并随阶跃电位的负移而增大,外加电位对Si晶体生长具有显著的影响。

H_2SiF_6—Fe_2(SiF_6)_3—H_2O系中方铅矿的浸出热力学

对Fe2 (SiF6) 3 酸性浸出剂浸出方铅矿的可行性做了热力学分析 ,提供了PbSiF6的溶解度图 ,利用热力学数据计算并绘制了H2 SiF6—H2 O和PbS—H2 O系的E—pH图以及Fe—F电位图。结果分析表明 :在Fe2 (SiF6) 3 酸性溶液中 ,H2 SiF6—H2 O体系的氧化还原性质是稳定的 ;SiF62 -离子稳定的 pH计算值范围约在 - 0 .97～ - 4.86之间 ;pH值大小可能对PbS的两种氧化机制产生影响 ;随着F-浓度的增加 ,Fe3+

分子动力学模拟不同入射角度的SiF_3^+对SiC表面的作用

采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程。模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小。分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少。随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少。同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致。当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023。各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2。F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少。在入射角度等于5°和30°时,SixFyCz是主要的含C产物;而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物。在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物;在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物。刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行。

样品温度对SiF_3^+与SiC表面相互作用影响的分子动力学研究

用分子动力学模拟方法研究样品温度对入射能量150 eV、45°入射的SiF_3^+与SiC表面的相互作用过程的影响。模拟中使用Graves等开发的用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数。模拟结果显示,所有温度下入射SiF_3^+与SiC表面相互作用后全部发生分解,绝大多数分解产物沉积于SiC表面。随Si和F在表面的沉积,SiC表面形成Si_xF_yC_z反应层。在温度300、500、700、900 K时,SiC中Si的刻蚀率分别为0.061、0.080、0.085、0.104,C的刻蚀率分别为0.019、0.030、0.034、0.039。SiC中Si比C更易被刻蚀,这和实验结果一致。主要含Si刻蚀产物为SiF_2,含C刻蚀产物为Si_xF_yC_z。主要的刻蚀机制为化学增强的物理溅射。

纳米Na_2SiF_6的电化学制备、表征与荧光性质

采用溶胶-凝胶法在Ti表面修饰一层纳米TiO2(nanoTiO2)膜,经X射线粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征,证明多孔TiO2膜的平均孔径为80 nm.以该多孔膜电极为模板,借助电化学沉积的方法制备了纳米Na2SiF6(nano Na2SiF6).经XRD和透射电镜(TEM)测试证实该Na2SiF6为均一的白锰钒型结构,平均粒径约为20 nm.初步研究了其荧光性质,发现在452.4 nm和285 nm处分别有强的荧光发射峰和激发峰.

SiF基态分子(X^2Π_r)的解析势能函数

利用群论及原子分子反应静力学的有关原理,推导了SiF分子基态的电子态和合理的离解极限,并利用Gaussian03程序包,采用QCISD(T)和B3P86方法结合D95(3df,3pd),cc-PVTZ,6-311g**和6-311++g(3df,3pd)基组,对SiF分子的基态X2Πr平衡结构和谐振频率进行了优化计算。通过比较计算结果,发现B3P86方法为最优方法、D95(3df,3pd)为最佳基组。使用该方法和基组对SiF分子的基态进行了单点势能扫描计算,并采用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了SiF分子基态完整的解析势能函数,计算出了SiF分子的光谱常数ωe、ωexe、Be和αe的值。

基于sif和SCAM结合的复制检测算法

复制检测在知识产权保护等许多领域都有重要的应用.构建一个数据库,该数据库可以用来存储注册文档和预处理,提出一种基于sif和SCAM结合的文本检测改进算法.对该改进算法进行描述并分析改进后算法的优势.

SiF_4制备氟硅酸钠工艺研究

氟硅酸钠作为磷化工行业的一种副产品,广泛的应用于陶瓷、农业、建筑、医学等行业。介绍了一种新的氟硅酸钠合成方法,对合成过程中的反应温度、反应时间两个因素进行了探索。并对原料气体SiF4的制备和及其进样量做了简单的分析。实验表明,在600℃时,SiF4可以和氟化钠在较短的接触时间内进行反应,得到纯度高达98.76%的氟硅酸钠。

外电场作用下SiF_4分子的特性研究

采用密度泛函B3LYP方法在6-31++g(3df,3pd)基组水平上,优化得到SiF4分子在不同外电场下(-0.04~0.04 a.u.)的基态稳定构型、偶极矩、HOMO能级、LUMO能级、能隙、谐振频率和红外光谱强度.结果表明,分子结构与外电场有着强烈的依赖关系,随着正向电场的增大,分子总能量和能隙都先增大后减小,分子偶极矩随正向外电场的增大先减小后增大,同时,外电场对SiF4分子的激发能、振子强度和红外光谱强度均有一定影响.

sIFR在网页设计中的实现与应用

sIFR这项技术是网页设计者用Flash替换HTML页面中的文本元素,并在客户机的浏览器中以Flash影片形式正常呈现出来,设计者可将网页中的文本设置成任意字体,且在浏览者的机器上不需要预先安装这些字体。同时,被Flash替换的文本内容的真实性并没有被隐藏,它可被搜索引擎所定位和检索到,这将不影响网站的推广。本文介绍了sIFR技术在网页设计中如何实现文本替换,这将值得网页设者们借鉴。