SiGe CMOS结构模拟分析

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,d层掺杂浓度以及Si“帽”层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响。最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果。