SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究

SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。

2.4 GHz微波宽带低噪声放大器的设计

采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC;应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件,并利用ADS2004A和APPCAD软件工具对具体电路增益、噪声系数、回波损耗等各项技术指标进行了仿真、设计、优化;最后达到了项目的设计要求,该放大器的研究成功将有助于蓝牙计划和无线局域网的实现。