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1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟
被引量:
1
1
作者
王祖军
刘书焕
+5 位作者
唐本奇
陈伟
黄绍艳
肖志刚
张勇
刘敏波
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期321-327,共7页
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量...
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。
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关键词
sige
hbt
中子辐照
缺陷能级
直流增益
截止频率
medici
数值模拟
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职称材料
题名
1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟
被引量:
1
1
作者
王祖军
刘书焕
唐本奇
陈伟
黄绍艳
肖志刚
张勇
刘敏波
机构
清华大学工程物理系
西北核技术研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期321-327,共7页
文摘
分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。
关键词
sige
hbt
中子辐照
缺陷能级
直流增益
截止频率
medici
数值模拟
Keywords
sige hbt
,
neutron radiation
,
trap levels
,
current gain
,
cut-off frequency
,
medici
,
numerical simulation
分类号
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟
王祖军
刘书焕
唐本奇
陈伟
黄绍艳
肖志刚
张勇
刘敏波
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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职称材料
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