1
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新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计 |
高勇
陈波涛
杨媛
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
10
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2
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基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究 |
舒斌
张鹤鸣
任冬玲
王伟
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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3
|
双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟(英文) |
舒斌
张鹤鸣
马晓华
宣荣喜
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《电子器件》
CAS
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2008 |
1
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4
|
温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文) |
马丽
谢加强
陈琳楠
高勇
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
1
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5
|
SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性研究 |
苏力
覃泽
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《广西民族学院学报(自然科学版)》
CAS
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2004 |
1
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6
|
SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究 |
贾素梅
杨瑞霞
刘英坤
邓建国
高渊
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2012 |
0 |
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7
|
SiGe外延层中硼注入和退火 |
江若琏
刘卫平
江宁
胡立群
朱顺明
郑有
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
1997 |
0 |
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8
|
Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 |
张万荣
李志国
王立新
汪东
崔福现
孙英华
程尧海
陈建新
沈光地
罗晋生
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
4
|
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9
|
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响 |
张万荣
沙永萍
谢红云
刘颖
张静
张正元
刘伦才
刘道广
王健安
徐学良
陈光炳
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
2
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10
|
功率SiGe/Si HBT的温度特性 |
张万荣
王扬
金冬月
谢红云
肖盈
何莉剑
沙永萍
张蔚
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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11
|
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计 |
张万荣
何莉剑
谢红云
杨经伟
金冬月
肖盈
沙永萍
王扬
张蔚
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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12
|
SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究 |
郭丰
张静
龚敏
刘伦才
杨晨
谭开洲
石瑞英
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《光散射学报》
|
2007 |
1
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13
|
微波功率SiGe HBT研究进展 |
张万荣
张蔚
金冬月
谢红云
肖盈
王扬
李佳
沈佩
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
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14
|
SiGe/Si异质结的基本特性及其探测器的应用前景 |
付朝雪
刘淑平
|
《红外》
CAS
|
2010 |
0 |
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15
|
SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析 |
冯露露
冯松
胡祥建
王迪
陈梦林
|
《西安工业大学学报》
CAS
|
2022 |
0 |
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16
|
GeSi/Si共振隧穿二极管 |
郭维廉
|
《微纳电子技术》
CAS
|
2008 |
1
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17
|
单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟 |
陈云
蔡厚道
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《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
|
2020 |
0 |
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18
|
非掺杂型Si/SiGe异质结外延与表征 |
耿鑫
张结印
卢文龙
明铭
刘方泽
符彬啸
褚逸昕
颜谋回
王保传
张新定
郭国平
张建军
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
|
2024 |
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19
|
pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度 |
舒斌
戴显英
张鹤鸣
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
10
|
|
20
|
硅基低维材料的可见光发射机理探讨 |
彭英才
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
2
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