SiGe／Si异质结光电器件

SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件的集成。

Si基光电子学研究进展

作为“第二代硅”，Ｓｉ基异质结材料为世人所嘱目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题。本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性、Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着重介绍ＳｉＧｅ／Ｓｉ的研究进展。

GeSi/Si异质结光波导光栅耦合器的设计与模拟

GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm的单模Ge0.05Si0.95/Si异质结波导光栅耦合器的周期、长度和槽深,得出从空气中输入角为75°(从衬底中入射角为16°)时,周期为0.512μm,槽宽为0.256μm,光栅长度为2.3 mm,从空气侧输入时耦合效率为22.5%,从衬底输入时耦合效率为46.3%,并对其输入、输出光场进行了数值模拟。