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掺锗CZSi禁带宽度的变化
被引量:
1
1
作者
牛新环
张维连
+2 位作者
吕海涛
蒋中伟
王雅欣
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期3360-3363,共4页
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了...
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
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关键词
直拉法
晶
体
生长
sige体单晶
禁带宽度
下载PDF
职称材料
题名
掺锗CZSi禁带宽度的变化
被引量:
1
1
作者
牛新环
张维连
吕海涛
蒋中伟
王雅欣
机构
河北工业大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第z1期3360-3363,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(59772037)
河北省自然科学基金资助项目(500016)
文摘
采用近红外分光光度仪(UV/VIS)测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品,得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率,利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数,根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图,得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值.结果发现,随锗浓度的提高,样品的禁带宽度逐渐减小.这结论与理论结果相吻合.
关键词
直拉法
晶
体
生长
sige体单晶
禁带宽度
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺锗CZSi禁带宽度的变化
牛新环
张维连
吕海涛
蒋中伟
王雅欣
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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