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Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响
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作者 谭伟石 吴小山 +4 位作者 蒋树声 贾全杰 郑文莉 姜晓明 郑鸿样 《北京同步辐射装置年报》 2002年第1期154-158,共5页
用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度... 用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。 展开更多
关键词 Si缓冲 生长 温度 sige外延层结构 X射线 晶格
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