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采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文)
被引量:
2
1
作者
梁仁荣
张侃
+3 位作者
杨宗仁
徐阳
王敬
许军
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1518-1522,共5页
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由...
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%.
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关键词
应变硅
RPCVD
sige虚拟衬底
迁移率增强
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职称材料
纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
被引量:
2
2
作者
陈长春
刘江锋
+2 位作者
余本海
戴启润
刘志弘
《微纳电子技术》
CAS
2006年第7期309-318,共10页
应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在...
应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。
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关键词
sige虚拟衬底
应变SI
CMOS器件
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职称材料
题名
采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文)
被引量:
2
1
作者
梁仁荣
张侃
杨宗仁
徐阳
王敬
许军
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1518-1522,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476017,60636010)~~
文摘
研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%.
关键词
应变硅
RPCVD
sige虚拟衬底
迁移率增强
Keywords
strained Si
RPCVD
sige
virtual substrate
mobility enhancement
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
被引量:
2
2
作者
陈长春
刘江锋
余本海
戴启润
刘志弘
机构
河南省信阳师范学院物理与电子工程学院
清华大学微电子学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第7期309-318,共10页
文摘
应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测量技术进行了简单的介绍,以期推动应变硅技术在我国芯片业的应用。
关键词
sige虚拟衬底
应变SI
CMOS器件
Keywords
sige
virtual substrate
strain Si
CMOS apparatus
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文)
梁仁荣
张侃
杨宗仁
徐阳
王敬
许军
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
下载PDF
职称材料
2
纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
陈长春
刘江锋
余本海
戴启润
刘志弘
《微纳电子技术》
CAS
2006
2
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职称材料
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