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SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析
被引量:
1
1
作者
谭刚
吴嘉丽
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期34-37,共4页
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si...
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。
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关键词
sih2cl2-nh3-n2体系
LPCVD
氮化硅薄膜
淀积速率
下载PDF
职称材料
题名
SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析
被引量:
1
1
作者
谭刚
吴嘉丽
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期34-37,共4页
文摘
以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜。考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响。结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整。较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。
关键词
sih2cl2-nh3-n2体系
LPCVD
氮化硅薄膜
淀积速率
Keywords
sih
_2
cl
_2
-nh
_3
-n
_2 system
LPCVD
silicon nitride films
deposition rate
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiH_2CL_2-NH_3-N_2体系LPCVD Si_3N_4薄膜因素分析
谭刚
吴嘉丽
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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