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SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
1
作者
屈涛
张八合
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期68-71,98,共5页
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性...
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性能变化的机制。结果表明:C:Si膜与基底结合度很好。逐渐增大SiH_(4)流量后,膜层厚度表现出增大趋势,C:Si膜的杂化比值由0.58增大至1.11,G峰的半峰宽由168 cm^(-1)减小为103 cm^(-1),判断SiH_(4)流量升高可诱导C:Si膜发生石墨化转变。通入6 mL/min SiH_(4)制得的C:Si膜具有优异的耐蚀性,极化后在表面形成晶体盐颗粒,并未观察到起皮及微孔缺陷。膜的界面电阻与钛基底相比显著降低,且C:Si膜的疏水性比基底更强,在SiH_(4)流量为6 mL/min下C:Si膜获得了最低界面电阻和最优疏水性。
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关键词
含硅非晶碳膜
钛合金板
sih
_(
4
)流量
组织
耐腐蚀性能
电化学性能
燃料电池
下载PDF
职称材料
脉冲调制射频大气压SiH_(4)/He/O_(2)放电数值模拟研究
2
作者
张茜
刘相梅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期927-936,共10页
大气压等离子体放电由于设备简单,生产成本低,一直被广泛用于二氧化硅薄膜沉积中。较其他形式的放电,大气压脉冲放电由于其稳定、高效等特点在近年来引起了人们的广泛关注。为了更深入了解其反应机理,本文利用二维流体力学模型对脉冲调...
大气压等离子体放电由于设备简单,生产成本低,一直被广泛用于二氧化硅薄膜沉积中。较其他形式的放电,大气压脉冲放电由于其稳定、高效等特点在近年来引起了人们的广泛关注。为了更深入了解其反应机理,本文利用二维流体力学模型对脉冲调制射频大气压SiH_(4)/He/O_(2)的放电过程进行了研究,重点关注了脉冲放电中占空比与调制频率对等离子体的影响。结果表明:在平均功率相同的条件下,占空比对薄膜的沉积速率和质量具有重要影响。具体表现为,随着占空比减小,反应腔中各粒子密度均呈现出增加的趋势,且当占空比为0.4时,SiO_(2)密度约为10^(14) cm^(-3),高于连续放电三个数量级;同时电场对负离子的约束作用也随着占空比的减小而减弱,导致大量的负离子流向极板,形成了对薄膜的性能有益的负离子流;另外适当降低占空比还可以改善薄膜的均匀性。值得注意的是,适当降低调制频率也可以在不影响薄膜均匀性的情况下,提高薄膜沉积速率、改善薄膜附着性能,但其影响不如占空比显著。
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关键词
脉冲调制
薄膜沉积
sih
_(
4
)/He/O_(2)放电
数值模拟
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职称材料
计算化学模拟法对制备乙硼烷和甲硅烷反应类型的研究
3
作者
吕仁庆
王淑涛
+1 位作者
王芳
沈国平
《文山学院学报》
2024年第2期18-23,共6页
采用计算化学模拟方法,在MP2/6-311+g(d)、HF/6-311+g(d)水平上考察了BCl_(3)、B_(2)H_(6)、LiCl、LiAlH_(4)、AlCl_(3)、SiCl_(4)、SiH_(4)中的Mulliken电荷、自然布局分析电荷(NPA电荷)、Hirshfeld布局电荷、原子偶极矩校正的Hirshfel...
采用计算化学模拟方法,在MP2/6-311+g(d)、HF/6-311+g(d)水平上考察了BCl_(3)、B_(2)H_(6)、LiCl、LiAlH_(4)、AlCl_(3)、SiCl_(4)、SiH_(4)中的Mulliken电荷、自然布局分析电荷(NPA电荷)、Hirshfeld布局电荷、原子偶极矩校正的Hirshfeld布局电荷(ADCH电荷),并对它们进行了拓扑结构分析,从而确定了各化合物中原子的氧化数。模拟结果表明,反应4BCl_(3)+LiAlH_(4)=2B_(2)H_(6)+3LiCl+3AlCl_(3)可以视为氧化还原反应,而反应SiCl_(4)+LiAlH_(4)=SiH_(4)+LiCl+AlCl_(3)是取代反应。
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关键词
LiAlH_(
4
)
B_(2)H_(6)
sih
_(
4
)
氧化还原反应
取代反应
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职称材料
题名
SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
1
作者
屈涛
张八合
机构
陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
陕西师范大学化工学院
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期68-71,98,共5页
基金
陕煤联合基金项目(2019JLZ-12)。
文摘
采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH_(4)所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH_(4)流量引起C:Si膜性能变化的机制。结果表明:C:Si膜与基底结合度很好。逐渐增大SiH_(4)流量后,膜层厚度表现出增大趋势,C:Si膜的杂化比值由0.58增大至1.11,G峰的半峰宽由168 cm^(-1)减小为103 cm^(-1),判断SiH_(4)流量升高可诱导C:Si膜发生石墨化转变。通入6 mL/min SiH_(4)制得的C:Si膜具有优异的耐蚀性,极化后在表面形成晶体盐颗粒,并未观察到起皮及微孔缺陷。膜的界面电阻与钛基底相比显著降低,且C:Si膜的疏水性比基底更强,在SiH_(4)流量为6 mL/min下C:Si膜获得了最低界面电阻和最优疏水性。
关键词
含硅非晶碳膜
钛合金板
sih
_(
4
)流量
组织
耐腐蚀性能
电化学性能
燃料电池
Keywords
silicon-containing amorphous carbon film
titanium alloy plate
sih
_(
4
)flow rate
microstructure
corrosion resistance
electrochemical performance
fuel cell
分类号
TG178 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
脉冲调制射频大气压SiH_(4)/He/O_(2)放电数值模拟研究
2
作者
张茜
刘相梅
机构
齐齐哈尔大学理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期927-936,共10页
基金
国家自然科学基金项目(11805107,12275039)
黑龙江省省属高等学校基本科研业务费科研项目(135509124)。
文摘
大气压等离子体放电由于设备简单,生产成本低,一直被广泛用于二氧化硅薄膜沉积中。较其他形式的放电,大气压脉冲放电由于其稳定、高效等特点在近年来引起了人们的广泛关注。为了更深入了解其反应机理,本文利用二维流体力学模型对脉冲调制射频大气压SiH_(4)/He/O_(2)的放电过程进行了研究,重点关注了脉冲放电中占空比与调制频率对等离子体的影响。结果表明:在平均功率相同的条件下,占空比对薄膜的沉积速率和质量具有重要影响。具体表现为,随着占空比减小,反应腔中各粒子密度均呈现出增加的趋势,且当占空比为0.4时,SiO_(2)密度约为10^(14) cm^(-3),高于连续放电三个数量级;同时电场对负离子的约束作用也随着占空比的减小而减弱,导致大量的负离子流向极板,形成了对薄膜的性能有益的负离子流;另外适当降低占空比还可以改善薄膜的均匀性。值得注意的是,适当降低调制频率也可以在不影响薄膜均匀性的情况下,提高薄膜沉积速率、改善薄膜附着性能,但其影响不如占空比显著。
关键词
脉冲调制
薄膜沉积
sih
_(
4
)/He/O_(2)放电
数值模拟
Keywords
Pulse modulation
Thin film deposition
sih
_(
4
)/He/O_(2)discharge
Numerical simulation
分类号
O539 [理学—等离子体物理]
下载PDF
职称材料
题名
计算化学模拟法对制备乙硼烷和甲硅烷反应类型的研究
3
作者
吕仁庆
王淑涛
王芳
沈国平
机构
中国石油大学(华东)化学化工学院
出处
《文山学院学报》
2024年第2期18-23,共6页
文摘
采用计算化学模拟方法,在MP2/6-311+g(d)、HF/6-311+g(d)水平上考察了BCl_(3)、B_(2)H_(6)、LiCl、LiAlH_(4)、AlCl_(3)、SiCl_(4)、SiH_(4)中的Mulliken电荷、自然布局分析电荷(NPA电荷)、Hirshfeld布局电荷、原子偶极矩校正的Hirshfeld布局电荷(ADCH电荷),并对它们进行了拓扑结构分析,从而确定了各化合物中原子的氧化数。模拟结果表明,反应4BCl_(3)+LiAlH_(4)=2B_(2)H_(6)+3LiCl+3AlCl_(3)可以视为氧化还原反应,而反应SiCl_(4)+LiAlH_(4)=SiH_(4)+LiCl+AlCl_(3)是取代反应。
关键词
LiAlH_(
4
)
B_(2)H_(6)
sih
_(
4
)
氧化还原反应
取代反应
Keywords
LiAlH_(
4
)
B_(2)H_(6)
sih
_(
4
)
redox reaction
substitution reaction
分类号
O657.3 [理学—分析化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiH_(4)流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响
屈涛
张八合
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
2
脉冲调制射频大气压SiH_(4)/He/O_(2)放电数值模拟研究
张茜
刘相梅
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
3
计算化学模拟法对制备乙硼烷和甲硅烷反应类型的研究
吕仁庆
王淑涛
王芳
沈国平
《文山学院学报》
2024
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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