退火工艺对SiN膜及SiO_2/SiN双层膜钝化特性的影响

针对硅太阳电池的背表面钝化，研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2／SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性．通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命，发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火，而SiO2／SiN双层膜则比较适合在600—700℃之间的温度下进行常规炉热退火．对SiN膜进行链式炉热退火实验表明，低温（700—850℃）条件下表面钝化效果最好．

不同厚度的SiN膜的研究

利用等离子体化学气相沉积的方式制备的SiN膜,总的气流量、压强、微波功率、硅烷、氨气气流量的配比,直接影响SiN膜的膜厚、折射率。本文主要针对不同厚度的SiN膜进行分析,跟踪多晶电池的转换效率,来确定最佳的SiN膜的厚度和折射率。

PECVD Sin/SiO_2双层膜的应力特性

采用激光束偏转法研究PECVD SiN及SiO_2的应力特性,结果表明,SiN膜的应力较大,在SiN/Si间插入一层SiO_2膜,能有效地减小SiN膜的应力。

TC4钛合金表面沉积CrSiN/SiN纳米多层膜在3.5%NaCl溶液中的腐蚀磨损性能

为了研究纳米多层膜的耐腐蚀性能以及腐蚀磨损机理,采用离子源辅助磁控溅射在TC4钛合金表面制备不同调制周期的CrSiN/SiN纳米多层膜。使用扫描电子显微电镜、能谱仪表征涂层的微观结构、腐蚀形貌以及元素分布;使用划痕仪、纳米压痕仪、维氏硬度计测量涂层的膜基结合力、硬度、弹性模量及断裂韧性,采用电化学工作站以及销盘磨损仪测量涂层耐腐蚀性和腐蚀磨损性。结果表明:调制周期为90 nm与360 nm时涂层耐腐蚀性能较好,腐蚀电流密度分别为1.31×10^(-8)A·cm^(-2)和1.20×10^(-8)A·cm^(-2)。此外,调制周期为45nm时,涂层硬度及弹性模量最大,分别为(22.5±0.6)GPa和(226.4±6.3)GPa,且腐蚀磨损率最低,为9.67×10^(-7)mm^3·N^(-1)·m^(-1)。多层膜结构显著改善了TC4钛合金的耐腐蚀及腐蚀磨损性能。

Stress Controlled Silicon Nitride Thin Film Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

SiN, films are deposited on silicon wafers through plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）. The relationship between the film stress and deposition factors is investigated. It is found that low stress films would be obtained by adjusting the ratio of low frequency（LF） power to high frequency（HF） power pulse time or the chamber pressure. The best of the two methods to control stress in the film is changing the percentage of LF power pulse time. The low stress condition is achieved when the percentage of low frequency power pulse time in total time（LF and HF pulse time） is close to 40%, The low stress cantilever of tunable vertical cavity surface emitting laser is obtained by using this deposition condition,

东芝和索尼联手提高pMOS和nMOS性能

日本东芝与索尼公司日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力，面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上旋转45度后，在栅极上部形成SiN膜，在通道部分施加拉伸应变就可以完成，因此，采用与普通CMOS技术几乎相同的工序即可生产。