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聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷
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作者 丁绍楠 刘玲 +3 位作者 李风萍 胡志明 刘星煜 刘安华 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期780-784,共5页
系统研究了热解和氧化条件对聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷的影响.研究发现,氮化脱碳反应主要发生在800℃之前,且脱碳彻底,碳质量分数低于1%;在氮气气氛下继续烧成,最终生成陶瓷的氮质量分数可达35.65%.氮化前对聚碳硅烷进行氧化交联... 系统研究了热解和氧化条件对聚碳硅烷氮化热解法制备SiNO陶瓷的影响.研究发现,氮化脱碳反应主要发生在800℃之前,且脱碳彻底,碳质量分数低于1%;在氮气气氛下继续烧成,最终生成陶瓷的氮质量分数可达35.65%.氮化前对聚碳硅烷进行氧化交联可提高陶瓷产率至61.84%,但是产物中氮质量分数显著降低到20%以下,产物为无定型态的SiNO陶瓷. 展开更多
关键词 聚碳硅烷 氮化热解法 sino陶瓷
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