基于TRIZ解决PECVD设备中SiN_(χ)在气路中的有害沉积

SiN_(χ)膜层作为太阳能电池的减反射膜起到了钝化和减反射的作用。在太阳能电池制备过程中,主要是利用PECVD(等离子体化学气相沉积)设备生长厚度为70~85 nm的SiN_(χ)膜层。然而,随着生产设备连续运行,SiN_(χ)将不断地沉积在特气孔上导致工艺腔室中反应气体均匀性变差,进而影响太阳能电池的转化效率。在实际生产过程中,PECVD设备连续运行约150 h,需要对设备进行约3-4 h的维护,从而降低了该设备的太阳能电池生产率,增加了太阳能电池成本。基于TRIZ理论,通过功能模型、因果分析对系统存在的问题进行了深入分析,进而利用矛盾矩阵获得众多方案。最终,将特气孔用液体隔离避免了SiN_(χ)的沉积,将PECVD设备的维护时间缩短到0.5 h,运行周期达1400 h,大大提高了设备生产率。